ZXMP6A18KTC,738-5178,DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP6A18KTC, 10.4 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP6A18KTC, 10.4 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号：
ZXMP6A18KTC
库存编号：
738-5178
DiodesZetex ZXMP6A18KTC
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

ZXMP6A18KTC产品详细信息

P 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc

ZXMP6A18KTC产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 7.67 x 2.39mm  
  典型关断延迟时间  55 ns  
  典型接通延迟时间  4.6 ns  
  典型输入电容值@Vds  1580 pF @ -30 V  
  典型栅极电荷@Vgs  23 nC @ 5 V  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.39mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  7.67mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  10.1 W  
  最大连续漏极电流  10.4 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  80 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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ZXMP6A18KTC配套附件

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安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  DiodesZetex 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 7.67 x 2.39mm  DiodesZetex 尺寸 6.73 x 7.67 x 2.39mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 7.67 x 2.39mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 7.67 x 2.39mm   典型关断延迟时间 55 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 55 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 55 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 55 ns   典型接通延迟时间 4.6 ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 4.6 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.6 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.6 ns   典型输入电容值@Vds 1580 pF @ -30 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 1580 pF @ -30 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1580 pF @ -30 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1580 pF @ -30 V   典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 5 V  DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 5 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 5 V   封装类型 DPAK  DiodesZetex 封装类型 DPAK  MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK   高度 2.39mm  DiodesZetex 高度 2.39mm  MOSFET 晶体管 高度 2.39mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 2.39mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  DiodesZetex 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 7.67mm  DiodesZetex 宽度 7.67mm  MOSFET 晶体管 宽度 7.67mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 7.67mm   类别 功率 MOSFET  DiodesZetex 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  DiodesZetex MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  DiodesZetex 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  DiodesZetex 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  DiodesZetex 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 10.1 W  DiodesZetex 最大功率耗散 10.1 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 10.1 W  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 10.1 W   最大连续漏极电流 10.4 A  DiodesZetex 最大连续漏极电流 10.4 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 10.4 A  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 10.4 A   最大漏源电压 60 V  DiodesZetex 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 80 mΩ  DiodesZetex 最大漏源电阻值 80 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 80 mΩ  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 80 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  DiodesZetex 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

ZXMP6A18KTC产品技术参数资料

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