ALF16P20K,737-9612,Semelab Si P沟道 MOSFET ALF16P20K, 16 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装 ,Semelab
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ALF16P20K
Semelab Si P沟道 MOSFET ALF16P20K, 16 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
制造商零件编号:
ALF16P20K
制造商:
Semelab
Semelab
库存编号:
737-9612
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ALF16P20K产品详细信息
ALF16P20K产品技术参数
安装类型
通孔
长度
39mm
尺寸
39 x 25 x 8.7mm
典型关断延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
150 ns
典型输入电容值@Vds
1800 pF @ -10 V
封装类型
TO-3
高度
8.7mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
25mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
P
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
250 W
最大连续漏极电流
-16 A
最大漏源电压
200 V
最大栅阈值电压
1.5V
最大栅源电压
±20 V
最高工作温度
+150 °C
关键词
ALF16P20K相关搜索
安装类型 通孔
Semelab 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Semelab MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 39mm
Semelab 长度 39mm
MOSFET 晶体管 长度 39mm
Semelab MOSFET 晶体管 长度 39mm
尺寸 39 x 25 x 8.7mm
Semelab 尺寸 39 x 25 x 8.7mm
MOSFET 晶体管 尺寸 39 x 25 x 8.7mm
Semelab MOSFET 晶体管 尺寸 39 x 25 x 8.7mm
典型关断延迟时间 100 ns
Semelab 典型关断延迟时间 100 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 100 ns
Semelab MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 150 ns
Semelab 典型接通延迟时间 150 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 150 ns
Semelab MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 150 ns
典型输入电容值@Vds 1800 pF @ -10 V
Semelab 典型输入电容值@Vds 1800 pF @ -10 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1800 pF @ -10 V
Semelab MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1800 pF @ -10 V
封装类型 TO-3
Semelab 封装类型 TO-3
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-3
Semelab MOSFET 晶体管 封装类型 TO-3
高度 8.7mm
Semelab 高度 8.7mm
MOSFET 晶体管 高度 8.7mm
Semelab MOSFET 晶体管 高度 8.7mm
晶体管材料 Si
Semelab 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Semelab MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Semelab 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Semelab MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 25mm
Semelab 宽度 25mm
MOSFET 晶体管 宽度 25mm
Semelab MOSFET 晶体管 宽度 25mm
类别 功率 MOSFET
Semelab 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Semelab MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Semelab 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Semelab MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 P
Semelab 通道类型 P
MOSFET 晶体管 通道类型 P
Semelab MOSFET 晶体管 通道类型 P
通道模式 增强
Semelab 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Semelab MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
Semelab 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Semelab MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 250 W
Semelab 最大功率耗散 250 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 250 W
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最大连续漏极电流 -16 A
Semelab 最大连续漏极电流 -16 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 -16 A
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最大漏源电压 200 V
Semelab 最大漏源电压 200 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V
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最大栅阈值电压 1.5V
Semelab 最大栅阈值电压 1.5V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V
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最大栅源电压 ±20 V
Semelab 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最高工作温度 +150 °C
Semelab 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Semelab MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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ALF16P20K产品技术参数资料
ALF16P16K / ALF16P20K P-Channel Lateral Power MOSFET for Audio Datasheet
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