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安装类型	通孔
长度	16.26mm
尺寸	16.26 x 5.31 x 21.46mm
典型关断延迟时间	60 ns
典型接通延迟时间	120 ns
典型输入电容值@Vds	700 pF V @ -10
封装类型	TO-247
高度	21.46mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.31mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	125 W
最大连续漏极电流	-8 A
最大漏源电压	-200 V
最大栅阈值电压	1.5V
最大栅源电压	±20 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 通孔  Semelab 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Semelab MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 16.26mm  Semelab 长度 16.26mm  MOSFET 晶体管 长度 16.26mm  Semelab MOSFET 晶体管 长度 16.26mm   尺寸 16.26 x 5.31 x 21.46mm  Semelab 尺寸 16.26 x 5.31 x 21.46mm  MOSFET 晶体管 尺寸 16.26 x 5.31 x 21.46mm  Semelab MOSFET 晶体管 尺寸 16.26 x 5.31 x 21.46mm   典型关断延迟时间 60 ns  Semelab 典型关断延迟时间 60 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 60 ns  Semelab MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 60 ns   典型接通延迟时间 120 ns  Semelab 典型接通延迟时间 120 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 120 ns  Semelab MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 120 ns   典型输入电容值@Vds 700 pF V @ -10  Semelab 典型输入电容值@Vds 700 pF V @ -10  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 700 pF V @ -10  Semelab MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 700 pF V @ -10   封装类型 TO-247  Semelab 封装类型 TO-247  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247  Semelab MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247   高度 21.46mm  Semelab 高度 21.46mm  MOSFET 晶体管 高度 21.46mm  Semelab MOSFET 晶体管 高度 21.46mm   晶体管材料 Si  Semelab 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Semelab MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Semelab 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Semelab MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.31mm  Semelab 宽度 5.31mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.31mm  Semelab MOSFET 晶体管 宽度 5.31mm   类别 功率 MOSFET  Semelab 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Semelab MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Semelab 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Semelab MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Semelab 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Semelab MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Semelab 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Semelab MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Semelab 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Semelab MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 125 W  Semelab 最大功率耗散 125 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W  Semelab MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W   最大连续漏极电流 -8 A  Semelab 最大连续漏极电流 -8 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 -8 A  Semelab MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 -8 A   最大漏源电压 -200 V  Semelab 最大漏源电压 -200 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 -200 V  Semelab MOSFET 晶体管 最大漏源电压 -200 V   最大栅阈值电压 1.5V  Semelab 最大栅阈值电压 1.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V  Semelab MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V   最大栅源电压 ±20 V  Semelab 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Semelab MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最高工作温度 +150 °C  Semelab 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Semelab MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• ALF08P16V / ALF08P20V P-Channel Lateral Power MOSFET for Audio Datasheet