AUIRF7640S2TR1,737-7518,International Rectifier N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF7640S2TR1, 21 A, Vds=60 V, 6引脚 DirectFET SB封装 ,International Rectifier
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

International Rectifier N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF7640S2TR1, 21 A, Vds=60 V, 6引脚 DirectFET SB封装

制造商零件编号：
AUIRF7640S2TR1
库存编号：
737-7518
International Rectifier AUIRF7640S2TR1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

AUIRF7640S2TR1产品详细信息

汽车 DirectFET?2 功率 MOSFET，Infineon

DirectFET ?2 功率MOSFET 提供卓越的功率密度、双面冷却以及低寄生电感和电阻，采用坚固符合 AEC-Q101 的封装，适用于汽车应用。 DirectFET?2 MOSFET 是久经考验的 DirectFET 封装技术的可靠性和性能与 Infineon 的最新通道硅工艺的完美组合，在整体系统级尺寸、成本和效率方面均有改进。

AUIRF7640S2TR1产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  4.85mm  
  尺寸  4.85 x 3.95 x 0.74mm  
  典型关断延迟时间  6.3 ns  
  典型接通延迟时间  4 ns  
  典型输入电容值@Vds  450 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  7.3 nC @ 10 V  
  封装类型  DirectFET SB  
  高度  0.74mm  
  宽度  3.95mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  30 W  
  最大连续漏极电流  21 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  36 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
关键词         

AUIRF7640S2TR1相关搜索

安装类型 表面贴装  International Rectifier 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  International Rectifier MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 4.85mm  International Rectifier 长度 4.85mm  MOSFET 晶体管 长度 4.85mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 长度 4.85mm   尺寸 4.85 x 3.95 x 0.74mm  International Rectifier 尺寸 4.85 x 3.95 x 0.74mm  MOSFET 晶体管 尺寸 4.85 x 3.95 x 0.74mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 尺寸 4.85 x 3.95 x 0.74mm   典型关断延迟时间 6.3 ns  International Rectifier 典型关断延迟时间 6.3 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 6.3 ns  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 6.3 ns   典型接通延迟时间 4 ns  International Rectifier 典型接通延迟时间 4 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4 ns  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4 ns   典型输入电容值@Vds 450 pF @ 25 V  International Rectifier 典型输入电容值@Vds 450 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 450 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 450 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 7.3 nC @ 10 V  International Rectifier 典型栅极电荷@Vgs 7.3 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 7.3 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 7.3 nC @ 10 V   封装类型 DirectFET SB  International Rectifier 封装类型 DirectFET SB  MOSFET 晶体管 封装类型 DirectFET SB  International Rectifier MOSFET 晶体管 封装类型 DirectFET SB   高度 0.74mm  International Rectifier 高度 0.74mm  MOSFET 晶体管 高度 0.74mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 高度 0.74mm   宽度 3.95mm  International Rectifier 宽度 3.95mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.95mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 宽度 3.95mm   类别 功率 MOSFET  International Rectifier 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  International Rectifier MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  International Rectifier 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  International Rectifier MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  International Rectifier 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  International Rectifier MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  International Rectifier 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  International Rectifier MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 6  International Rectifier 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  International Rectifier MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 30 W  International Rectifier 最大功率耗散 30 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 30 W  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大功率耗散 30 W   最大连续漏极电流 21 A  International Rectifier 最大连续漏极电流 21 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 21 A  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 21 A   最大漏源电压 60 V  International Rectifier 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 36 mΩ  International Rectifier 最大漏源电阻值 36 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 36 mΩ  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 36 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  International Rectifier 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  International Rectifier 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  International Rectifier MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  International Rectifier 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  International Rectifier MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

AUIRF7640S2TR1产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号