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安装类型	表面贴装
长度	2.1mm
尺寸	2.1 x 2.1 x 0.95mm
典型关断延迟时间	13 ns
典型接通延迟时间	12 ns
典型输入电容值@Vds	580 pF @ -25 V
典型栅极电荷@Vgs	13 nC @ 10 V
封装类型	PQFN
高度	0.95mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	2.1mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
系列	HEXFET
引脚数目	7
最大功率耗散	2.1 W
最大连续漏极电流	6 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	65 mΩ
最大栅阈值电压	2.4V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1.3V
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.1mm  Infineon 长度 2.1mm  MOSFET 晶体管 长度 2.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 2.1mm   尺寸 2.1 x 2.1 x 0.95mm  Infineon 尺寸 2.1 x 2.1 x 0.95mm  MOSFET 晶体管 尺寸 2.1 x 2.1 x 0.95mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 2.1 x 2.1 x 0.95mm   典型关断延迟时间 13 ns  Infineon 典型关断延迟时间 13 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 13 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 13 ns   典型接通延迟时间 12 ns  Infineon 典型接通延迟时间 12 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12 ns   典型输入电容值@Vds 580 pF @ -25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 580 pF @ -25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 580 pF @ -25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 580 pF @ -25 V   典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V   封装类型 PQFN  Infineon 封装类型 PQFN  MOSFET 晶体管 封装类型 PQFN  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 PQFN   高度 0.95mm  Infineon 高度 0.95mm  MOSFET 晶体管 高度 0.95mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 0.95mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 2.1mm  Infineon 宽度 2.1mm  MOSFET 晶体管 宽度 2.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 2.1mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Infineon 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 7  Infineon 引脚数目 7  MOSFET 晶体管 引脚数目 7  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 7   最大功率耗散 2.1 W  Infineon 最大功率耗散 2.1 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.1 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.1 W   最大连续漏极电流 6 A  Infineon 最大连续漏极电流 6 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6 A   最大漏源电压 30 V  Infineon 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 65 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 65 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 65 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 65 mΩ   最大栅阈值电压 2.4V  Infineon 最大栅阈值电压 2.4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.4V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.4V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1.3V  Infineon 最小栅阈值电压 1.3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.3V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.3V  

• -30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET Datasheet