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安装类型	表面贴装
长度	1.02mm
尺寸	1.02 x 0.62 x 0.47mm
典型关断延迟时间	18 ns
典型接通延迟时间	4 ns
典型输入电容值@Vds	43 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	0.89 nC @ 4.5 V
封装类型	SOT-883
高度	0.47mm
宽度	0.62mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	2.5 W
最大连续漏极电流	1.8 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	460 mΩ
最大栅源电压	±8 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  NXP 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  NXP MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.02mm  NXP 长度 1.02mm  MOSFET 晶体管 长度 1.02mm  NXP MOSFET 晶体管 长度 1.02mm   尺寸 1.02 x 0.62 x 0.47mm  NXP 尺寸 1.02 x 0.62 x 0.47mm  MOSFET 晶体管 尺寸 1.02 x 0.62 x 0.47mm  NXP MOSFET 晶体管 尺寸 1.02 x 0.62 x 0.47mm   典型关断延迟时间 18 ns  NXP 典型关断延迟时间 18 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 18 ns  NXP MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 18 ns   典型接通延迟时间 4 ns  NXP 典型接通延迟时间 4 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4 ns  NXP MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4 ns   典型输入电容值@Vds 43 pF @ 25 V  NXP 典型输入电容值@Vds 43 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 43 pF @ 25 V  NXP MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 43 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 0.89 nC @ 4.5 V  NXP 典型栅极电荷@Vgs 0.89 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.89 nC @ 4.5 V  NXP MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.89 nC @ 4.5 V   封装类型 SOT-883  NXP 封装类型 SOT-883  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-883  NXP MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-883   高度 0.47mm  NXP 高度 0.47mm  MOSFET 晶体管 高度 0.47mm  NXP MOSFET 晶体管 高度 0.47mm   宽度 0.62mm  NXP 宽度 0.62mm  MOSFET 晶体管 宽度 0.62mm  NXP MOSFET 晶体管 宽度 0.62mm   类别 功率 MOSFET  NXP 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  NXP MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  NXP 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  NXP MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  NXP 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  NXP MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  NXP 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  NXP MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  NXP 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  NXP MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 2.5 W  NXP 最大功率耗散 2.5 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.5 W  NXP MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.5 W   最大连续漏极电流 1.8 A  NXP 最大连续漏极电流 1.8 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.8 A  NXP MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.8 A   最大漏源电压 30 V  NXP 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 460 mΩ  NXP 最大漏源电阻值 460 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 460 mΩ  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 460 mΩ   最大栅源电压 ±8 V  NXP 最大栅源电压 ±8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V   最低工作温度 -55 °C  NXP 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  NXP MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  NXP 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  NXP MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• Trans MOSFET NCH 30V 1.78A 3Pin SC101