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安装类型	表面贴装
长度	3.1mm
尺寸	3.1 x 1.7 x 1mm
典型关断延迟时间	50 ns
典型接通延迟时间	10 ns
典型输入电容值@Vds	790 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	9.9 nC @ 4.5 V
封装类型	TSOP
高度	1mm
宽度	1.7mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	6
最大功率耗散	1.75 W
最大连续漏极电流	4.9 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	46 mΩ
最大栅源电压	±8 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  NXP 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  NXP MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.1mm  NXP 长度 3.1mm  MOSFET 晶体管 长度 3.1mm  NXP MOSFET 晶体管 长度 3.1mm   尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm  NXP 尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm  NXP MOSFET 晶体管 尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm   典型关断延迟时间 50 ns  NXP 典型关断延迟时间 50 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 50 ns  NXP MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 50 ns   典型接通延迟时间 10 ns  NXP 典型接通延迟时间 10 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns  NXP MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns   典型输入电容值@Vds 790 pF @ 25 V  NXP 典型输入电容值@Vds 790 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 790 pF @ 25 V  NXP MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 790 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 9.9 nC @ 4.5 V  NXP 典型栅极电荷@Vgs 9.9 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 9.9 nC @ 4.5 V  NXP MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 9.9 nC @ 4.5 V   封装类型 TSOP  NXP 封装类型 TSOP  MOSFET 晶体管 封装类型 TSOP  NXP MOSFET 晶体管 封装类型 TSOP   高度 1mm  NXP 高度 1mm  MOSFET 晶体管 高度 1mm  NXP MOSFET 晶体管 高度 1mm   宽度 1.7mm  NXP 宽度 1.7mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.7mm  NXP MOSFET 晶体管 宽度 1.7mm   类别 功率 MOSFET  NXP 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  NXP MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  NXP 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  NXP MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  NXP 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  NXP MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  NXP 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  NXP MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 6  NXP 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  NXP MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 1.75 W  NXP 最大功率耗散 1.75 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.75 W  NXP MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.75 W   最大连续漏极电流 4.9 A  NXP 最大连续漏极电流 4.9 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.9 A  NXP MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.9 A   最大漏源电压 30 V  NXP 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 46 mΩ  NXP 最大漏源电阻值 46 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 46 mΩ  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 46 mΩ   最大栅源电压 ±8 V  NXP 最大栅源电压 ±8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V   最低工作温度 -55 °C  NXP 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  NXP MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  NXP 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  NXP MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• Trans MOSFET NCH 30V 4.9A 6Pin TSOP