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安装类型	表面贴装
长度	2.2mm
尺寸	2.2 x 1.35 x 1mm
典型关断延迟时间	18.5 ns
典型接通延迟时间	4.5 ns
典型输入电容值@Vds	45 pF@ 20 V
典型栅极电荷@Vgs	0.89 nC @ 4.5 V
封装类型	SC-70
高度	1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.35mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	560 mW
最大连续漏极电流	1.02 A
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	340 mΩ
最大栅阈值电压	1V
最大栅源电压	±8 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.45V
关键词

安装类型 表面贴装  NXP 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  NXP MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.2mm  NXP 长度 2.2mm  MOSFET 晶体管 长度 2.2mm  NXP MOSFET 晶体管 长度 2.2mm   尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm  NXP 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm  NXP MOSFET 晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm   典型关断延迟时间 18.5 ns  NXP 典型关断延迟时间 18.5 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 18.5 ns  NXP MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 18.5 ns   典型接通延迟时间 4.5 ns  NXP 典型接通延迟时间 4.5 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.5 ns  NXP MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.5 ns   典型输入电容值@Vds 45 pF@ 20 V  NXP 典型输入电容值@Vds 45 pF@ 20 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 45 pF@ 20 V  NXP MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 45 pF@ 20 V   典型栅极电荷@Vgs 0.89 nC @ 4.5 V  NXP 典型栅极电荷@Vgs 0.89 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.89 nC @ 4.5 V  NXP MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.89 nC @ 4.5 V   封装类型 SC-70  NXP 封装类型 SC-70  MOSFET 晶体管 封装类型 SC-70  NXP MOSFET 晶体管 封装类型 SC-70   高度 1mm  NXP 高度 1mm  MOSFET 晶体管 高度 1mm  NXP MOSFET 晶体管 高度 1mm   晶体管材料 Si  NXP 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  NXP MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  NXP 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  NXP MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.35mm  NXP 宽度 1.35mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.35mm  NXP MOSFET 晶体管 宽度 1.35mm   类别 功率 MOSFET  NXP 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  NXP MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  NXP 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  NXP MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  NXP 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  NXP MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  NXP 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  NXP MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  NXP 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  NXP MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 560 mW  NXP 最大功率耗散 560 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 560 mW  NXP MOSFET 晶体管 最大功率耗散 560 mW   最大连续漏极电流 1.02 A  NXP 最大连续漏极电流 1.02 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.02 A  NXP MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.02 A   最大漏源电压 20 V  NXP 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 340 mΩ  NXP 最大漏源电阻值 340 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 340 mΩ  NXP MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 340 mΩ   最大栅阈值电压 1V  NXP 最大栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V   最大栅源电压 ±8 V  NXP 最大栅源电压 ±8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V  NXP MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V   最低工作温度 -55 °C  NXP 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  NXP MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  NXP 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  NXP MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.45V  NXP 最小栅阈值电压 0.45V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.45V  NXP MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.45V  

• Trans MOSFET NCH 20V 1.02A 3Pin UMT TR