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安装类型	表面贴装
长度	3mm
尺寸	3 x 1.4 x 1mm
典型关断延迟时间	9.5 ns
典型接通延迟时间	5.5 ns
典型输入电容值@Vds	330 pF@ 20 V
典型栅极电荷@Vgs	7 nC @ 10 V
封装类型	TO-236AB
高度	1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	2 W
最大连续漏极电流	1.9 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	250 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

安装类型 表面贴装  Nexperia 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Nexperia MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3mm  Nexperia 长度 3mm  MOSFET 晶体管 长度 3mm  Nexperia MOSFET 晶体管 长度 3mm   尺寸 3 x 1.4 x 1mm  Nexperia 尺寸 3 x 1.4 x 1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1mm  Nexperia MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1mm   典型关断延迟时间 9.5 ns  Nexperia 典型关断延迟时间 9.5 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 9.5 ns  Nexperia MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 9.5 ns   典型接通延迟时间 5.5 ns  Nexperia 典型接通延迟时间 5.5 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5.5 ns  Nexperia MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5.5 ns   典型输入电容值@Vds 330 pF@ 20 V  Nexperia 典型输入电容值@Vds 330 pF@ 20 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 330 pF@ 20 V  Nexperia MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 330 pF@ 20 V   典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V  Nexperia 典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V  Nexperia MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V   封装类型 TO-236AB  Nexperia 封装类型 TO-236AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-236AB  Nexperia MOSFET 晶体管 封装类型 TO-236AB   高度 1mm  Nexperia 高度 1mm  MOSFET 晶体管 高度 1mm  Nexperia MOSFET 晶体管 高度 1mm   晶体管材料 Si  Nexperia 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Nexperia 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.4mm  Nexperia 宽度 1.4mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm  Nexperia MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm   类别 功率 MOSFET  Nexperia 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Nexperia MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Nexperia 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Nexperia MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Nexperia 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Nexperia MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Nexperia 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Nexperia MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Nexperia 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Nexperia MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 2 W  Nexperia 最大功率耗散 2 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2 W  Nexperia MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2 W   最大连续漏极电流 1.9 A  Nexperia 最大连续漏极电流 1.9 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.9 A  Nexperia MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.9 A   最大漏源电压 100 V  Nexperia 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 250 mΩ  Nexperia 最大漏源电阻值 250 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 250 mΩ  Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 250 mΩ   最大栅阈值电压 4V  Nexperia 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±30 V  Nexperia 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Nexperia 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Nexperia MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Nexperia 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Nexperia MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2V  Nexperia 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Nexperia MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  

• TransMOSFET NCH 100V 1.9A 3P TO236AB TR