PMGD780SN,115,725-8322,Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET PMGD780SN,115, 490 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装 ,Nexperia
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
>
PMGD780SN,115
Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET PMGD780SN,115, 490 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装
制造商零件编号:
PMGD780SN,115
制造商:
Nexperia
Nexperia
库存编号:
725-8322
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PMGD780SN,115产品详细信息
双 N 通道 MOSFET,Nexperia
PMGD780SN,115产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.2mm
尺寸
2.2 x 1.35 x 1mm
典型关断延迟时间
5 ns
典型接通延迟时间
2 ns
典型输入电容值@Vds
23 pF@ 30 V
典型栅极电荷@Vgs
1.05 nC @ 10 V
封装类型
SOT-363
高度
1mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
隔离式
宽度
1.35mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
2
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
6
最大功率耗散
410 mW
最大连续漏极电流
490 mA
最大漏源电压
60 V
最大漏源电阻值
920 mΩ
最大栅阈值电压
2.5V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
1V
关键词
PMGD780SN,115相关搜索
安装类型 表面贴装
Nexperia 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Nexperia MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2.2mm
Nexperia 长度 2.2mm
MOSFET 晶体管 长度 2.2mm
Nexperia MOSFET 晶体管 长度 2.2mm
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm
Nexperia 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm
MOSFET 晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm
Nexperia MOSFET 晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm
典型关断延迟时间 5 ns
Nexperia 典型关断延迟时间 5 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 5 ns
Nexperia MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 5 ns
典型接通延迟时间 2 ns
Nexperia 典型接通延迟时间 2 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 2 ns
Nexperia MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 2 ns
典型输入电容值@Vds 23 pF@ 30 V
Nexperia 典型输入电容值@Vds 23 pF@ 30 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 23 pF@ 30 V
Nexperia MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 23 pF@ 30 V
典型栅极电荷@Vgs 1.05 nC @ 10 V
Nexperia 典型栅极电荷@Vgs 1.05 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 1.05 nC @ 10 V
Nexperia MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 1.05 nC @ 10 V
封装类型 SOT-363
Nexperia 封装类型 SOT-363
MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-363
Nexperia MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-363
高度 1mm
Nexperia 高度 1mm
MOSFET 晶体管 高度 1mm
Nexperia MOSFET 晶体管 高度 1mm
晶体管材料 Si
Nexperia 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 隔离式
Nexperia 晶体管配置 隔离式
MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式
Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式
宽度 1.35mm
Nexperia 宽度 1.35mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.35mm
Nexperia MOSFET 晶体管 宽度 1.35mm
类别 功率 MOSFET
Nexperia 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Nexperia MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 2
Nexperia 每片芯片元件数目 2
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
Nexperia MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
通道类型 N
Nexperia 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Nexperia MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Nexperia 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Nexperia MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 6
Nexperia 引脚数目 6
MOSFET 晶体管 引脚数目 6
Nexperia MOSFET 晶体管 引脚数目 6
最大功率耗散 410 mW
Nexperia 最大功率耗散 410 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 410 mW
Nexperia MOSFET 晶体管 最大功率耗散 410 mW
最大连续漏极电流 490 mA
Nexperia 最大连续漏极电流 490 mA
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 490 mA
Nexperia MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 490 mA
最大漏源电压 60 V
Nexperia 最大漏源电压 60 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
最大漏源电阻值 920 mΩ
Nexperia 最大漏源电阻值 920 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 920 mΩ
Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 920 mΩ
最大栅阈值电压 2.5V
Nexperia 最大栅阈值电压 2.5V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V
Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V
最大栅源电压 ±20 V
Nexperia 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
Nexperia 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Nexperia MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
Nexperia 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Nexperia MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小栅阈值电压 1V
Nexperia 最小栅阈值电压 1V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V
Nexperia MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
PMGD780SN,115产品技术参数资料
Trans MOSFET NCH 60V 0.49A 6Pin UMT
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号