BSS192,115,725-8313,Nexperia Si P沟道 MOSFET BSS192,115, 200 mA, Vds=240 V, 3引脚 SOT-89封装 ,Nexperia
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BSS192,115
Nexperia Si P沟道 MOSFET BSS192,115, 200 mA, Vds=240 V, 3引脚 SOT-89封装
制造商零件编号:
BSS192,115
制造商:
Nexperia
Nexperia
库存编号:
725-8313
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BSS192,115产品详细信息
P 通道 MOSFET,Nexperia
BSS192,115产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
4.6mm
尺寸
4.6 x 2.6 x 1.6mm
典型关断延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
5 ns
典型输入电容值@Vds
55 pF @ -25 V
封装类型
SOT-89
高度
1.6mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
2.6mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
P
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
1 W
最大连续漏极电流
200 mA
最大漏源电压
240 V
最大漏源电阻值
12Ω
最大栅阈值电压
2.8V
最大栅源电压
±20 V
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
0.8V
关键词
BSS192,115相关搜索
安装类型 表面贴装
Nexperia 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Nexperia MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 4.6mm
Nexperia 长度 4.6mm
MOSFET 晶体管 长度 4.6mm
Nexperia MOSFET 晶体管 长度 4.6mm
尺寸 4.6 x 2.6 x 1.6mm
Nexperia 尺寸 4.6 x 2.6 x 1.6mm
MOSFET 晶体管 尺寸 4.6 x 2.6 x 1.6mm
Nexperia MOSFET 晶体管 尺寸 4.6 x 2.6 x 1.6mm
典型关断延迟时间 20 ns
Nexperia 典型关断延迟时间 20 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns
Nexperia MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 5 ns
Nexperia 典型接通延迟时间 5 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5 ns
Nexperia MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5 ns
典型输入电容值@Vds 55 pF @ -25 V
Nexperia 典型输入电容值@Vds 55 pF @ -25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 55 pF @ -25 V
Nexperia MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 55 pF @ -25 V
封装类型 SOT-89
Nexperia 封装类型 SOT-89
MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-89
Nexperia MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-89
高度 1.6mm
Nexperia 高度 1.6mm
MOSFET 晶体管 高度 1.6mm
Nexperia MOSFET 晶体管 高度 1.6mm
晶体管材料 Si
Nexperia 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Nexperia 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 2.6mm
Nexperia 宽度 2.6mm
MOSFET 晶体管 宽度 2.6mm
Nexperia MOSFET 晶体管 宽度 2.6mm
类别 功率 MOSFET
Nexperia 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Nexperia MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Nexperia 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Nexperia MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 P
Nexperia 通道类型 P
MOSFET 晶体管 通道类型 P
Nexperia MOSFET 晶体管 通道类型 P
通道模式 增强
Nexperia 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Nexperia MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
Nexperia 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Nexperia MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 1 W
Nexperia 最大功率耗散 1 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1 W
Nexperia MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1 W
最大连续漏极电流 200 mA
Nexperia 最大连续漏极电流 200 mA
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 200 mA
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最大漏源电压 240 V
Nexperia 最大漏源电压 240 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 240 V
Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电压 240 V
最大漏源电阻值 12Ω
Nexperia 最大漏源电阻值 12Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 12Ω
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最大栅阈值电压 2.8V
Nexperia 最大栅阈值电压 2.8V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.8V
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最大栅源电压 ±20 V
Nexperia 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最高工作温度 +150 °C
Nexperia 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小栅阈值电压 0.8V
Nexperia 最小栅阈值电压 0.8V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.8V
Nexperia MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.8V
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BSS192,115产品技术参数资料
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