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安装类型	表面贴装
长度	6.73mm
尺寸	6.73 x 6.22 x 2.38mm
典型关断延迟时间	30 ns
典型接通延迟时间	10 ns
典型输入电容值@Vds	700 pF V @ 25
典型栅极电荷@Vgs	29 nC V @ 10
封装类型	DPAK
高度	2.38mm
宽度	6.22mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	83 W
最大连续漏极电流	23 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	55 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
关键词

安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  ON Semiconductor 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm  ON Semiconductor 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm   典型关断延迟时间 30 ns  ON Semiconductor 典型关断延迟时间 30 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 30 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 30 ns   典型接通延迟时间 10 ns  ON Semiconductor 典型接通延迟时间 10 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns   典型输入电容值@Vds 700 pF V @ 25  ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 700 pF V @ 25  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 700 pF V @ 25  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 700 pF V @ 25   典型栅极电荷@Vgs 29 nC V @ 10  ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 29 nC V @ 10  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 29 nC V @ 10  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 29 nC V @ 10   封装类型 DPAK  ON Semiconductor 封装类型 DPAK  MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK   高度 2.38mm  ON Semiconductor 高度 2.38mm  MOSFET 晶体管 高度 2.38mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 2.38mm   宽度 6.22mm  ON Semiconductor 宽度 6.22mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm   类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  ON Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  ON Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  ON Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 83 W  ON Semiconductor 最大功率耗散 83 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 83 W  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 83 W   最大连续漏极电流 23 A  ON Semiconductor 最大连续漏极电流 23 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 23 A  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 23 A   最大漏源电压 100 V  ON Semiconductor 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 55 mΩ  ON Semiconductor 最大漏源电阻值 55 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 55 mΩ  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 55 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  ON Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  

• NTD6415AN N-Channel Power MOSFET Data Sheet