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安装类型	通孔
长度	6.73mm
尺寸	6.73 x 2.38 x 7.62mm
典型关断延迟时间	38 ns
典型接通延迟时间	11 ns
典型输入电容值@Vds	1450 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	40 nC @ 10 V
封装类型	IPAK
高度	7.62mm
宽度	2.38mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	100 W
最大连续漏极电流	32 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	37 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
关键词

安装类型 通孔  ON Semiconductor 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 6.73mm  ON Semiconductor 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 2.38 x 7.62mm  ON Semiconductor 尺寸 6.73 x 2.38 x 7.62mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 2.38 x 7.62mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 2.38 x 7.62mm   典型关断延迟时间 38 ns  ON Semiconductor 典型关断延迟时间 38 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 38 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 38 ns   典型接通延迟时间 11 ns  ON Semiconductor 典型接通延迟时间 11 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11 ns   典型输入电容值@Vds 1450 pF @ 25 V  ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 1450 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1450 pF @ 25 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1450 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V  ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V   封装类型 IPAK  ON Semiconductor 封装类型 IPAK  MOSFET 晶体管 封装类型 IPAK  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 IPAK   高度 7.62mm  ON Semiconductor 高度 7.62mm  MOSFET 晶体管 高度 7.62mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 7.62mm   宽度 2.38mm  ON Semiconductor 宽度 2.38mm  MOSFET 晶体管 宽度 2.38mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 2.38mm   类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  ON Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  ON Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  ON Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 100 W  ON Semiconductor 最大功率耗散 100 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 100 W  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 100 W   最大连续漏极电流 32 A  ON Semiconductor 最大连续漏极电流 32 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 32 A  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 32 A   最大漏源电压 100 V  ON Semiconductor 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 37 mΩ  ON Semiconductor 最大漏源电阻值 37 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 37 mΩ  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 37 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  ON Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  

• NTD6414AN N-Channel Power MOSFET Data Sheet