NTB6411ANG,719-2853,ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTB6411ANG, 77 A, Vds=100 V, 4引脚 D2PAK封装 ,ON Semiconductor
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NTB6411ANG
ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTB6411ANG, 77 A, Vds=100 V, 4引脚 D2PAK封装
制造商零件编号：
NTB6411ANG
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
719-2853
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
NTB6411ANG产品详细信息
N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor
NTB6411ANG产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
10.29mm
尺寸
10.29 x 9.65 x 4.83mm
典型关断延迟时间
107 ns
典型接通延迟时间
16 ns
典型输入电容值@Vds
3700 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
100 nC @ 10 V
封装类型
D2PAK
高度
4.83mm
宽度
9.65mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
4
最大功率耗散
217 W
最大连续漏极电流
77 A
最大漏源电压
100 V
最大漏源电阻值
14 mΩ
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
关键词
NTB6411ANG相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 10.29mm
ON Semiconductor 长度 10.29mm
MOSFET 晶体管 长度 10.29mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 10.29mm
尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm
ON Semiconductor 尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm
典型关断延迟时间 107 ns
ON Semiconductor 典型关断延迟时间 107 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 107 ns
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 107 ns
典型接通延迟时间 16 ns
ON Semiconductor 典型接通延迟时间 16 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns
典型输入电容值@Vds 3700 pF @ 25 V
ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 3700 pF @ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3700 pF @ 25 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3700 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V
ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V
封装类型 D2PAK
ON Semiconductor 封装类型 D2PAK
MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK
高度 4.83mm
ON Semiconductor 高度 4.83mm
MOSFET 晶体管 高度 4.83mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 4.83mm
宽度 9.65mm
ON Semiconductor 宽度 9.65mm
MOSFET 晶体管 宽度 9.65mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 9.65mm
类别 功率 MOSFET
ON Semiconductor 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
ON Semiconductor 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
ON Semiconductor 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 4
ON Semiconductor 引脚数目 4
MOSFET 晶体管 引脚数目 4
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 4
最大功率耗散 217 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 217 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 217 W
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 217 W
最大连续漏极电流 77 A
ON Semiconductor 最大连续漏极电流 77 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 77 A
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 77 A
最大漏源电压 100 V
ON Semiconductor 最大漏源电压 100 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V
最大漏源电阻值 14 mΩ
ON Semiconductor 最大漏源电阻值 14 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 14 mΩ
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 14 mΩ
最大栅源电压 ±20 V
ON Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +175 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +175 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
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NTB6411ANG产品技术参数资料
NTB6411AN, NTP6411AN N-Channel Power MOSFET Data Sheet
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