NTB6411ANG,719-2853,ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTB6411ANG, 77 A, Vds=100 V, 4引脚 D2PAK封装 ,ON Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTB6411ANG, 77 A, Vds=100 V, 4引脚 D2PAK封装

制造商零件编号:
NTB6411ANG
库存编号:
719-2853
ON Semiconductor NTB6411ANG
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

NTB6411ANG产品详细信息

N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor

NTB6411ANG产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.29mm  
  尺寸  10.29 x 9.65 x 4.83mm  
  典型关断延迟时间  107 ns  
  典型接通延迟时间  16 ns  
  典型输入电容值@Vds  3700 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  100 nC @ 10 V  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.83mm  
  宽度  9.65mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  4  
  最大功率耗散  217 W  
  最大连续漏极电流  77 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  14 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
关键词         

NTB6411ANG相关搜索

安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.29mm  ON Semiconductor 长度 10.29mm  MOSFET 晶体管 长度 10.29mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 10.29mm   尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm  ON Semiconductor 尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm   典型关断延迟时间 107 ns  ON Semiconductor 典型关断延迟时间 107 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 107 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 107 ns   典型接通延迟时间 16 ns  ON Semiconductor 典型接通延迟时间 16 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns   典型输入电容值@Vds 3700 pF @ 25 V  ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 3700 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3700 pF @ 25 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3700 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V  ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V   封装类型 D2PAK  ON Semiconductor 封装类型 D2PAK  MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK   高度 4.83mm  ON Semiconductor 高度 4.83mm  MOSFET 晶体管 高度 4.83mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 4.83mm   宽度 9.65mm  ON Semiconductor 宽度 9.65mm  MOSFET 晶体管 宽度 9.65mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 9.65mm   类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  ON Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  ON Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 4  ON Semiconductor 引脚数目 4  MOSFET 晶体管 引脚数目 4  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 4   最大功率耗散 217 W  ON Semiconductor 最大功率耗散 217 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 217 W  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 217 W   最大连续漏极电流 77 A  ON Semiconductor 最大连续漏极电流 77 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 77 A  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 77 A   最大漏源电压 100 V  ON Semiconductor 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 14 mΩ  ON Semiconductor 最大漏源电阻值 14 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 14 mΩ  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 14 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  ON Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

NTB6411ANG产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号