NDF08N60ZG,719-2822,ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDF08N60ZG, 7.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装 ,ON Semiconductor
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NDF08N60ZG
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDF08N60ZG, 7.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
制造商零件编号：
NDF08N60ZG
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
719-2822
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
NDF08N60ZG产品详细信息
N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor
NDF08N60ZG产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.63mm
尺寸
10.63 x 4.9 x 16.12mm
典型关断延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
14 ns
典型输入电容值@Vds
1140 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
10 V 时，39 常闭
封装类型
TO-220FP
高度
16.12mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.9mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
139 W
最大连续漏极电流
7.5 A
最大漏源电压
600 V
最大漏源电阻值
950 mΩ
最大栅阈值电压
4.5V
最大栅源电压
30 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
NDF08N60ZG配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Bergquist Sil-Pad K6 电子散热垫 SPK6-0.006-00-54, 1.1W/m·K, 19.05 x 12.7mm, 0.152mm厚
制造商零件编号：
SPK6-0.006-00-54
品牌：
Bergquist
库存编号：
707-3355
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安装类型 通孔
ON Semiconductor 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 10.63mm
ON Semiconductor 长度 10.63mm
MOSFET 晶体管 长度 10.63mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 10.63mm
尺寸 10.63 x 4.9 x 16.12mm
ON Semiconductor 尺寸 10.63 x 4.9 x 16.12mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.63 x 4.9 x 16.12mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 10.63 x 4.9 x 16.12mm
典型关断延迟时间 36 ns
ON Semiconductor 典型关断延迟时间 36 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 36 ns
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 14 ns
ON Semiconductor 典型接通延迟时间 14 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14 ns
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14 ns
典型输入电容值@Vds 1140 pF@ 25 V
ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 1140 pF@ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1140 pF@ 25 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1140 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，39 常闭
ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，39 常闭
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，39 常闭
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，39 常闭
封装类型 TO-220FP
ON Semiconductor 封装类型 TO-220FP
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP
高度 16.12mm
ON Semiconductor 高度 16.12mm
MOSFET 晶体管 高度 16.12mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 16.12mm
晶体管材料 Si
ON Semiconductor 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.9mm
ON Semiconductor 宽度 4.9mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.9mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 4.9mm
类别 功率 MOSFET
ON Semiconductor 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
ON Semiconductor 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
ON Semiconductor 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 139 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 139 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 139 W
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最大连续漏极电流 7.5 A
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MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 7.5 A
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最大漏源电压 600 V
ON Semiconductor 最大漏源电压 600 V
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最大漏源电阻值 950 mΩ
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最高工作温度 +150 °C
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NDF08N60ZG产品技术参数资料
NDF08N60Z, NDP08N60Z N-Channel Power MOSFET Data Sheet
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