NDD03N60Z-1G,719-2787,ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDD03N60Z-1G, 3 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装 ,ON Semiconductor
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDD03N60Z-1G, 3 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装

制造商零件编号:
NDD03N60Z-1G
库存编号:
719-2787
ON Semiconductor NDD03N60Z-1G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

NDD03N60Z-1G产品详细信息

N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor

NDD03N60Z-1G产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 2.38 x 7.62mm  
  典型关断延迟时间  16 ns  
  典型接通延迟时间  9 ns  
  典型输入电容值@Vds  312 pF V @ 25  
  典型栅极电荷@Vgs  12 nC V @ 10  
  封装类型  IPAK  
  高度  7.62mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  2.38mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  78 W  
  最大连续漏极电流  3.0 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  3.6 Ω  
  最大栅阈值电压  4.5V  
  最大栅源电压  30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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NDD03N60Z-1G产品技术参数资料

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