IRF4104PBF,716-5545,Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF4104PBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF4104PBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
IRF4104PBF
库存编号：
716-5545
Infineon IRF4104PBF
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IRF4104PBF
库存编号:IRF4104PBF-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB887
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IRF4104PBF
库存编号:942-IRF4104PBF		 Infineon Technologies AG MOSFETs MOSFT 40V 120A 5.5mOhm 68nC Qg528
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IRF4104PBF
库存编号:IRF4104PBF		 Infineon Technologies AG Semiconductors596
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IRF4104PBF
库存编号:IRF4104PBF		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRF4104PBF)0
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IRF4104PBF
库存编号:73173637		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube0
1000起订		1000+
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IRF4104PBF
库存编号:82784396		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube0
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IRF4104PBF
库存编号:75723995		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube0
38起订		38+
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IRF4104PBF
库存编号:3155130		 Infineon Technologies AG 90004001,, MOSFET, N, 40V, 75A, TO-220AB225
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
IRF4104PBF
库存编号:IRF4104PBF		 Infineon Technologies AG Transistor: N-MOSFET, unipolar, 40V, 120A, 140W, TO220AB51
1起订		1+
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IRF4104PBF产品详细信息

电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET，Infineon

电动机控制 MOSFET

Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。

同步整流器 MOSFET

同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。

IRF4104PBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  典型关断延迟时间  38 ns  
  典型接通延迟时间  16 ns  
  典型输入电容值@Vds  3000 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  68 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  8.77mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  140 W  
  最大连续漏极电流  120 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  6 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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IRF4104PBF相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   典型关断延迟时间 38 ns  Infineon 典型关断延迟时间 38 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 38 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 38 ns   典型接通延迟时间 16 ns  Infineon 典型接通延迟时间 16 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns   典型输入电容值@Vds 3000 pF@ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 3000 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3000 pF@ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3000 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 68 nC @ 10 V   封装类型 TO-220AB  Infineon 封装类型 TO-220AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB   高度 8.77mm  Infineon 高度 8.77mm  MOSFET 晶体管 高度 8.77mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 8.77mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 140 W  Infineon 最大功率耗散 140 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 140 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 140 W   最大连续漏极电流 120 A  Infineon 最大连续漏极电流 120 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 120 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 120 A   最大漏源电压 40 V  Infineon 最大漏源电压 40 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V   最大漏源电阻值 6 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 6 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 6 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 6 mΩ   最大栅阈值电压 4V  Infineon 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  Infineon 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
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型号 制造商 描述 操作
IRF4104PBF
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MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF4104PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFT 40V 120A 5.5mOhm 68nC Qg

RoHS: Compliant

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IRF4104PBF
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF4104PBF
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Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRF4104PBF)

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Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRF4104PBF
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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 40V, RDS(ON) 4.3Milliohms, ID 120A, TO-220AB, PD 140W, -55de

RoHS: Compliant

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IRF4104PBF
[更多]		 International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 140 W

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型号 制造商 描述 操作
IRF4104PBF
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 40V, 120A, 140W, TO220AB, HEXFET?

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IRF4104PBF|International RectifierIRF4104PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
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International Rectifier		MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
Rohs

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Infineon Technologies - IRF4104PBF - MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB

型号：IRF4104PBF
仓库库存编号：IRF4104PBF-ND
别名：*IRF4104PBF <br>SP001554010 <br>

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International Rectifier - IRF4104PBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRF4104PBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRF4104PBF
品牌：
International Rectifier
库存编号：
688-6863
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Infineon - IRF4104PBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF4104PBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRF4104PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
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IRF4104PBF|International RectifierIRF4104PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
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IR - IRF4104PBF - MOSFET N, 40 V 84 A 140 W TO-220AB, IRF4104PBF, IR		IR
MOSFET N, 40 V 84 A 140 W TO-220AB, IRF4104PBF, IR

型号：IRF4104PBF
仓库库存编号：171-37-425

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电话:400-900-3095
QQ:800152669
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