IRF7779L2TR1PBF,716-5393,Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7779L2TR1PBF, 375 A, Vds=150 V, 11引脚 DirectFET L8封装 ,Infineon
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7779L2TR1PBF, 375 A, Vds=150 V, 11引脚 DirectFET L8封装

制造商零件编号:
IRF7779L2TR1PBF
库存编号:
716-5393
Infineon IRF7779L2TR1PBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IRF7779L2TR1PBF产品详细信息

电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET,Infineon

电动机控制 MOSFET

Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。

同步整流器 MOSFET

同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。

IRF7779L2TR1PBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  9.15mm  
  尺寸  9.15 x 7.1 x 0.7mm  
  典型关断延迟时间  36 ns  
  典型接通延迟时间  16 ns  
  典型输入电容值@Vds  6660 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  97 nC @ 10 V  
  封装类型  DirectFET L8  
  高度  0.7mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  7.1mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  11  
  最大功率耗散  125 W  
  最大连续漏极电流  375 A  
  最大漏源电压  150 V  
  最大漏源电阻值  11 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRF7779L2TR1PBF产品技术参数资料

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