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安装类型	表面贴装
长度	9.15mm
尺寸	9.15 x 7.1 x 0.7mm
典型关断延迟时间	36 ns
典型接通延迟时间	16 ns
典型输入电容值@Vds	6660 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	97 nC @ 10 V
封装类型	DirectFET L8
高度	0.7mm
晶体管配置	单
宽度	7.1mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	11
最大功率耗散	125 W
最大连续漏极电流	375 A
最大漏源电压	150 V
最大漏源电阻值	11 mΩ
最大栅阈值电压	5V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	3V
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 9.15mm  Infineon 长度 9.15mm  MOSFET 晶体管 长度 9.15mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 9.15mm   尺寸 9.15 x 7.1 x 0.7mm  Infineon 尺寸 9.15 x 7.1 x 0.7mm  MOSFET 晶体管 尺寸 9.15 x 7.1 x 0.7mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 9.15 x 7.1 x 0.7mm   典型关断延迟时间 36 ns  Infineon 典型关断延迟时间 36 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 36 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 36 ns   典型接通延迟时间 16 ns  Infineon 典型接通延迟时间 16 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16 ns   典型输入电容值@Vds 6660 pF @ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 6660 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 6660 pF @ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 6660 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 97 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 97 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 97 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 97 nC @ 10 V   封装类型 DirectFET L8  Infineon 封装类型 DirectFET L8  MOSFET 晶体管 封装类型 DirectFET L8  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 DirectFET L8   高度 0.7mm  Infineon 高度 0.7mm  MOSFET 晶体管 高度 0.7mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 0.7mm   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 7.1mm  Infineon 宽度 7.1mm  MOSFET 晶体管 宽度 7.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 7.1mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 11  Infineon 引脚数目 11  MOSFET 晶体管 引脚数目 11  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 11   最大功率耗散 125 W  Infineon 最大功率耗散 125 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W   最大连续漏极电流 375 A  Infineon 最大连续漏极电流 375 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 375 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 375 A   最大漏源电压 150 V  Infineon 最大漏源电压 150 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 150 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 150 V   最大漏源电阻值 11 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 11 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 11 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 11 mΩ   最大栅阈值电压 5V  Infineon 最大栅阈值电压 5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 3V  Infineon 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  

• IRF7779L2 DirectFET Power MOSFET Data Sheet