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安装类型	表面贴装
长度	9.15mm
尺寸	9.15 x 7.1 x 0.676mm
典型关断延迟时间	56 ns
典型接通延迟时间	21 ns
典型输入电容值@Vds	11880 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	220 nC @ 10 V
封装类型	DirectFET L8
高度	0.676mm
宽度	7.1mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	11
最大功率耗散	125 W
最大连续漏极电流	270 A
最大漏源电压	40 V
最大漏源电阻值	1 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
关键词

安装类型 表面贴装  International Rectifier 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  International Rectifier MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 9.15mm  International Rectifier 长度 9.15mm  MOSFET 晶体管 长度 9.15mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 长度 9.15mm   尺寸 9.15 x 7.1 x 0.676mm  International Rectifier 尺寸 9.15 x 7.1 x 0.676mm  MOSFET 晶体管 尺寸 9.15 x 7.1 x 0.676mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 尺寸 9.15 x 7.1 x 0.676mm   典型关断延迟时间 56 ns  International Rectifier 典型关断延迟时间 56 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 56 ns  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 56 ns   典型接通延迟时间 21 ns  International Rectifier 典型接通延迟时间 21 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 21 ns  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 21 ns   典型输入电容值@Vds 11880 pF @ 25 V  International Rectifier 典型输入电容值@Vds 11880 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 11880 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 11880 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 220 nC @ 10 V  International Rectifier 典型栅极电荷@Vgs 220 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 220 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 220 nC @ 10 V   封装类型 DirectFET L8  International Rectifier 封装类型 DirectFET L8  MOSFET 晶体管 封装类型 DirectFET L8  International Rectifier MOSFET 晶体管 封装类型 DirectFET L8   高度 0.676mm  International Rectifier 高度 0.676mm  MOSFET 晶体管 高度 0.676mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 高度 0.676mm   宽度 7.1mm  International Rectifier 宽度 7.1mm  MOSFET 晶体管 宽度 7.1mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 宽度 7.1mm   类别 功率 MOSFET  International Rectifier 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  International Rectifier MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  International Rectifier 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  International Rectifier MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  International Rectifier 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  International Rectifier MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  International Rectifier 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  International Rectifier MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 11  International Rectifier 引脚数目 11  MOSFET 晶体管 引脚数目 11  International Rectifier MOSFET 晶体管 引脚数目 11   最大功率耗散 125 W  International Rectifier 最大功率耗散 125 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W   最大连续漏极电流 270 A  International Rectifier 最大连续漏极电流 270 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 270 A  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 270 A   最大漏源电压 40 V  International Rectifier 最大漏源电压 40 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V   最大漏源电阻值 1 mΩ  International Rectifier 最大漏源电阻值 1 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1 mΩ  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  International Rectifier 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  International Rectifier 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  International Rectifier MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  International Rectifier 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  International Rectifier MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  

• IRF7739L2 DirectFET Power MOSFET Data Sheet