IRF7739L2TR1PBF,716-5378,Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7739L2TR1PBF, 270 A, Vds=40 V, 11引脚 DirectFET L8封装 ,International Rectifier
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7739L2TR1PBF, 270 A, Vds=40 V, 11引脚 DirectFET L8封装

制造商零件编号:
IRF7739L2TR1PBF
库存编号:
716-5378
International Rectifier IRF7739L2TR1PBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IRF7739L2TR1PBF产品详细信息

DirectFET? 功率 MOSFET,Infineon

DirectFET? 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET? MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。

在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻
封装电阻极低,尽量减少传导损耗
高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性
薄型,仅 0.7mm

IRF7739L2TR1PBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  9.15mm  
  尺寸  9.15 x 7.1 x 0.676mm  
  典型关断延迟时间  56 ns  
  典型接通延迟时间  21 ns  
  典型输入电容值@Vds  11880 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  220 nC @ 10 V  
  封装类型  DirectFET L8  
  高度  0.676mm  
  宽度  7.1mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  11  
  最大功率耗散  125 W  
  最大连续漏极电流  270 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  1 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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IRF7739L2TR1PBF产品技术参数资料

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