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安装类型	表面贴装
长度	6.35mm
尺寸	6.35 x 5.05 x 0.676mm
典型关断延迟时间	7.1 ns
典型接通延迟时间	19 ns
典型输入电容值@Vds	1320 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	22 nC @ 10 V
封装类型	DirectFET MZ
高度	0.676mm
宽度	5.05mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	5
最大功率耗散	89 W
最大连续漏极电流	55 A
最大漏源电压	80 V
最大漏源电阻值	15 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-40 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  International Rectifier 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  International Rectifier MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.35mm  International Rectifier 长度 6.35mm  MOSFET 晶体管 长度 6.35mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 长度 6.35mm   尺寸 6.35 x 5.05 x 0.676mm  International Rectifier 尺寸 6.35 x 5.05 x 0.676mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.35 x 5.05 x 0.676mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 尺寸 6.35 x 5.05 x 0.676mm   典型关断延迟时间 7.1 ns  International Rectifier 典型关断延迟时间 7.1 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 7.1 ns  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 7.1 ns   典型接通延迟时间 19 ns  International Rectifier 典型接通延迟时间 19 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 19 ns  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 19 ns   典型输入电容值@Vds 1320 pF @ 25 V  International Rectifier 典型输入电容值@Vds 1320 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1320 pF @ 25 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1320 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V  International Rectifier 典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V   封装类型 DirectFET MZ  International Rectifier 封装类型 DirectFET MZ  MOSFET 晶体管 封装类型 DirectFET MZ  International Rectifier MOSFET 晶体管 封装类型 DirectFET MZ   高度 0.676mm  International Rectifier 高度 0.676mm  MOSFET 晶体管 高度 0.676mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 高度 0.676mm   宽度 5.05mm  International Rectifier 宽度 5.05mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.05mm  International Rectifier MOSFET 晶体管 宽度 5.05mm   类别 功率 MOSFET  International Rectifier 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  International Rectifier MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  International Rectifier 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  International Rectifier MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  International Rectifier 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  International Rectifier MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  International Rectifier 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  International Rectifier MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 5  International Rectifier 引脚数目 5  MOSFET 晶体管 引脚数目 5  International Rectifier MOSFET 晶体管 引脚数目 5   最大功率耗散 89 W  International Rectifier 最大功率耗散 89 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 89 W  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大功率耗散 89 W   最大连续漏极电流 55 A  International Rectifier 最大连续漏极电流 55 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 55 A  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 55 A   最大漏源电压 80 V  International Rectifier 最大漏源电压 80 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 80 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大漏源电压 80 V   最大漏源电阻值 15 mΩ  International Rectifier 最大漏源电阻值 15 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 15 mΩ  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 15 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  International Rectifier 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  International Rectifier MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -40 °C  International Rectifier 最低工作温度 -40 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C  International Rectifier MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +150 °C  International Rectifier 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  International Rectifier MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• IRF6668 DirectFET Power MOSFET Data Sheet