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安装类型	表面贴装
长度	9.15mm
尺寸	9.15 x 7.1 x 0.676mm
典型关断延迟时间	47 ns
典型接通延迟时间	67 ns
典型输入电容值@Vds	8910 pF @ 13 V
典型栅极电荷@Vgs	64 nC @ 4.5 V
封装类型	DirectFET L6
高度	0.676mm
宽度	7.1mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	9
正向二极管电压	1V
正向跨导	820S
最大功率耗散	83 W
最大连续漏极电流	270 A
最大漏源电压	25 V
最大漏源电阻值	1.4 mΩ
最大栅阈值电压	2.35V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	1.35V
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 9.15mm  Infineon 长度 9.15mm  MOSFET 晶体管 长度 9.15mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 9.15mm   尺寸 9.15 x 7.1 x 0.676mm  Infineon 尺寸 9.15 x 7.1 x 0.676mm  MOSFET 晶体管 尺寸 9.15 x 7.1 x 0.676mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 9.15 x 7.1 x 0.676mm   典型关断延迟时间 47 ns  Infineon 典型关断延迟时间 47 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 47 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 47 ns   典型接通延迟时间 67 ns  Infineon 典型接通延迟时间 67 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 67 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 67 ns   典型输入电容值@Vds 8910 pF @ 13 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 8910 pF @ 13 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 8910 pF @ 13 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 8910 pF @ 13 V   典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 4.5 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 4.5 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 4.5 V   封装类型 DirectFET L6  Infineon 封装类型 DirectFET L6  MOSFET 晶体管 封装类型 DirectFET L6  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 DirectFET L6   高度 0.676mm  Infineon 高度 0.676mm  MOSFET 晶体管 高度 0.676mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 0.676mm   宽度 7.1mm  Infineon 宽度 7.1mm  MOSFET 晶体管 宽度 7.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 7.1mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 9  Infineon 引脚数目 9  MOSFET 晶体管 引脚数目 9  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 9   正向二极管电压 1V  Infineon 正向二极管电压 1V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1V  Infineon MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1V   正向跨导 820S  Infineon 正向跨导 820S  MOSFET 晶体管 正向跨导 820S  Infineon MOSFET 晶体管 正向跨导 820S   最大功率耗散 83 W  Infineon 最大功率耗散 83 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 83 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 83 W   最大连续漏极电流 270 A  Infineon 最大连续漏极电流 270 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 270 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 270 A   最大漏源电压 25 V  Infineon 最大漏源电压 25 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 25 V   最大漏源电阻值 1.4 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 1.4 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.4 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.4 mΩ   最大栅阈值电压 2.35V  Infineon 最大栅阈值电压 2.35V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.35V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.35V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 1.35V  Infineon 最小栅阈值电压 1.35V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.35V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.35V  

• IRF6718L2 DirectFET Power MOSFET Data Sheet