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安装类型	表面贴装
长度	1.6mm
尺寸	1.6 x 1.2 x 0.5mm
典型关断延迟时间	100 nS
典型接通延迟时间	100 nS
典型输入电容值@Vds	12 pF@ 3 V
封装类型	SSMini6 F3 B
高度	0.5mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	1.2mm
类别	小信号
每片芯片元件数目	2
通道类型	N
通道模式	增强
系列	FC
引脚数目	6
最大功率耗散	125 mW
最大连续漏极电流	100 mA
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	6 Ω
最大栅阈值电压	1.5V
最大栅源电压	±12 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  Panasonic 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Panasonic MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.6mm  Panasonic 长度 1.6mm  MOSFET 晶体管 长度 1.6mm  Panasonic MOSFET 晶体管 长度 1.6mm   尺寸 1.6 x 1.2 x 0.5mm  Panasonic 尺寸 1.6 x 1.2 x 0.5mm  MOSFET 晶体管 尺寸 1.6 x 1.2 x 0.5mm  Panasonic MOSFET 晶体管 尺寸 1.6 x 1.2 x 0.5mm   典型关断延迟时间 100 nS  Panasonic 典型关断延迟时间 100 nS  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 100 nS  Panasonic MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 100 nS   典型接通延迟时间 100 nS  Panasonic 典型接通延迟时间 100 nS  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 100 nS  Panasonic MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 100 nS   典型输入电容值@Vds 12 pF@ 3 V  Panasonic 典型输入电容值@Vds 12 pF@ 3 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 12 pF@ 3 V  Panasonic MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 12 pF@ 3 V   封装类型 SSMini6 F3 B  Panasonic 封装类型 SSMini6 F3 B  MOSFET 晶体管 封装类型 SSMini6 F3 B  Panasonic MOSFET 晶体管 封装类型 SSMini6 F3 B   高度 0.5mm  Panasonic 高度 0.5mm  MOSFET 晶体管 高度 0.5mm  Panasonic MOSFET 晶体管 高度 0.5mm   晶体管材料 Si  Panasonic 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Panasonic MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  Panasonic 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  Panasonic MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 1.2mm  Panasonic 宽度 1.2mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.2mm  Panasonic MOSFET 晶体管 宽度 1.2mm   类别 小信号  Panasonic 类别 小信号  MOSFET 晶体管 类别 小信号  Panasonic MOSFET 晶体管 类别 小信号   每片芯片元件数目 2  Panasonic 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Panasonic MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  Panasonic 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Panasonic MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Panasonic 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Panasonic MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 FC  Panasonic 系列 FC  MOSFET 晶体管 系列 FC  Panasonic MOSFET 晶体管 系列 FC   引脚数目 6  Panasonic 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  Panasonic MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 125 mW  Panasonic 最大功率耗散 125 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 mW  Panasonic MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 mW   最大连续漏极电流 100 mA  Panasonic 最大连续漏极电流 100 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 mA  Panasonic MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 mA   最大漏源电压 30 V  Panasonic 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Panasonic MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 6 Ω  Panasonic 最大漏源电阻值 6 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 6 Ω  Panasonic MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 6 Ω   最大栅阈值电压 1.5V  Panasonic 最大栅阈值电压 1.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V  Panasonic MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V   最大栅源电压 ±12 V  Panasonic 最大栅源电压 ±12 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V  Panasonic MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V   最高工作温度 +150 °C  Panasonic 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Panasonic MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• FC694301 Silicon N-channel MOS FET Data Sheet