STQ1HNK60R-AP,714-6796,STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STQ1HNK60R-AP, 400 mA, Vds=600 V, 3引脚 TO-92封装 ,STMicroelectronics
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STQ1HNK60R-AP
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STQ1HNK60R-AP, 400 mA, Vds=600 V, 3引脚 TO-92封装
制造商零件编号:
STQ1HNK60R-AP
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
714-6796
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STQ1HNK60R-AP产品详细信息
N 通道 MDmesh? SuperMESH?,250V 至 650V,STMicroelectronics
STQ1HNK60R-AP产品技术参数
安装类型
通孔
长度
4.95mm
尺寸
4.95 x 3.94 x 4.95mm
典型关断延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
6.5 ns
典型输入电容值@Vds
156 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
7 nC @ 10 V
封装类型
TO-92
高度
4.95mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
3.94mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
MDmesh, SuperMESH
引脚数目
3
最大功率耗散
3 W
最大连续漏极电流
400 mA
最大漏源电压
600 V
最大漏源电阻值
8.5 Ω
最大栅阈值电压
3.7V
最大栅源电压
±30 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
2.25V
关键词
STQ1HNK60R-AP相关搜索
安装类型 通孔
STMicroelectronics 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 4.95mm
STMicroelectronics 长度 4.95mm
MOSFET 晶体管 长度 4.95mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 4.95mm
尺寸 4.95 x 3.94 x 4.95mm
STMicroelectronics 尺寸 4.95 x 3.94 x 4.95mm
MOSFET 晶体管 尺寸 4.95 x 3.94 x 4.95mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 4.95 x 3.94 x 4.95mm
典型关断延迟时间 19 ns
STMicroelectronics 典型关断延迟时间 19 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 19 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 6.5 ns
STMicroelectronics 典型接通延迟时间 6.5 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.5 ns
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.5 ns
典型输入电容值@Vds 156 pF@ 25 V
STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 156 pF@ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 156 pF@ 25 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 156 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V
STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V
封装类型 TO-92
STMicroelectronics 封装类型 TO-92
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-92
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 TO-92
高度 4.95mm
STMicroelectronics 高度 4.95mm
MOSFET 晶体管 高度 4.95mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 4.95mm
晶体管材料 Si
STMicroelectronics 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
STMicroelectronics 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 3.94mm
STMicroelectronics 宽度 3.94mm
MOSFET 晶体管 宽度 3.94mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 3.94mm
类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
STMicroelectronics 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
STMicroelectronics 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 MDmesh, SuperMESH
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MOSFET 晶体管 系列 MDmesh, SuperMESH
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 MDmesh, SuperMESH
引脚数目 3
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MOSFET 晶体管 引脚数目 3
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 3 W
STMicroelectronics 最大功率耗散 3 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 3 W
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最大连续漏极电流 400 mA
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MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 400 mA
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最大漏源电压 600 V
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MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V
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最大漏源电阻值 8.5 Ω
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MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 8.5 Ω
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最大栅阈值电压 3.7V
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最大栅源电压 ±30 V
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MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V
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最低工作温度 -55 °C
STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小栅阈值电压 2.25V
STMicroelectronics 最小栅阈值电压 2.25V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.25V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.25V
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STQ1HNK60R-AP产品技术参数资料
STD1NK60 - STD1NK60-1 STQ1HNK60R - STN1HNK60 N-CHANNEL 600V - 8Ω - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH MOSFET Data Sheet
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