STP7NK80ZFP,714-1085,STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP7NK80ZFP, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP7NK80ZFP, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装

制造商零件编号：
STP7NK80ZFP
库存编号：
714-1085
STMicroelectronics STP7NK80ZFP
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STP7NK80ZFP
库存编号:497-11399-5-ND		 STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP781
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STP7NK80ZFP
库存编号:511-STP7NK80ZFP		 STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH907
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STP7NK80ZFP
库存编号:STP7NK80ZFP		 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Rail/Tube (Alt: STP7NK80ZFP)0
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STP7NK80ZFP
库存编号:86926336		 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube0
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STP7NK80ZFP
库存编号:76833954		 STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube0
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STP7NK80ZFP
库存编号:9803327		 STMicroelectronics , MOSFET, N, TO-220FP225
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STP7NK80ZFP
库存编号:STP7NK80ZFP		 STMicroelectronics Transistor: N-MOSFET, unipolar, 800V, 3.3A, 30W, TO220FP, ESD124
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STP7NK80ZFP
库存编号:7141085		 STMicroelectronics MOSFET, N-CH, 800V, 5.2A, TO-220FP, PK20
2起订		2+
￥42.49
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STP7NK80ZFP产品详细信息

N 通道 MDmesh? SuperMESH?，700V 至 1200V，STMicroelectronics

STP7NK80ZFP产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.4mm  
  尺寸  10.4 x 4.6 x 9.3mm  
  典型关断延迟时间  45 ns  
  典型接通延迟时间  20 ns  
  典型输入电容值@Vds  1138 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  40 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220FP  
  高度  9.3mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.6mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  MDmesh, SuperMESH  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  30 W  
  最大连续漏极电流  5.2 A  
  最大漏源电压  800 V  
  最大漏源电阻值  1.8 Ω  
  最大栅阈值电压  4.5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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STP7NK80ZFP配套附件

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安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.4mm  STMicroelectronics 长度 10.4mm  MOSFET 晶体管 长度 10.4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 10.4mm   尺寸 10.4 x 4.6 x 9.3mm  STMicroelectronics 尺寸 10.4 x 4.6 x 9.3mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 9.3mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 9.3mm   典型关断延迟时间 45 ns  STMicroelectronics 典型关断延迟时间 45 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 45 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 45 ns   典型接通延迟时间 20 ns  STMicroelectronics 典型接通延迟时间 20 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 20 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 20 ns   典型输入电容值@Vds 1138 pF@ 25 V  STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 1138 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1138 pF@ 25 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1138 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V  STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 10 V   封装类型 TO-220FP  STMicroelectronics 封装类型 TO-220FP  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP   高度 9.3mm  STMicroelectronics 高度 9.3mm  MOSFET 晶体管 高度 9.3mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 9.3mm   晶体管材料 Si  STMicroelectronics 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.6mm  STMicroelectronics 宽度 4.6mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm   类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 MDmesh, SuperMESH  STMicroelectronics 系列 MDmesh, SuperMESH  MOSFET 晶体管 系列 MDmesh, SuperMESH  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 MDmesh, SuperMESH   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 30 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 30 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 30 W  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 30 W   最大连续漏极电流 5.2 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 5.2 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.2 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.2 A   最大漏源电压 800 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 800 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 800 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 800 V   最大漏源电阻值 1.8 Ω  STMicroelectronics 最大漏源电阻值 1.8 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.8 Ω  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.8 Ω   最大栅阈值电压 4.5V  STMicroelectronics 最大栅阈值电压 4.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4.5V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4.5V   最大栅源电压 ±30 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 3V  STMicroelectronics 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  
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MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220FP

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MOSFET N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 800V, 3.3A, 30W, TO220FP

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STMicroelectronics - STP7NK80ZFP - MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220FP		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 5.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP

型号：STP7NK80ZFP
仓库库存编号：497-11399-5-ND
别名：497-11399-5 <br>STP7NK80ZFP-ND <br>

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STP7NK80ZFP
STMICROELECTRONICS STP7NK80ZFP		9803327

STMICROELECTRONICS

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V

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STMicroelectronics - STP7NK80ZFP - STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP7NK80ZFP, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
制造商零件编号：
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品牌：
STMicroelectronics
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STP7NK80ZFP|STMicroelectronicsSTP7NK80ZFP
STMicroelectronics		MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220FP
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STP7NK80ZFP产品技术参数资料

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