IXFK32N50Q,711-5386,IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK32N50Q, 32 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264AA封装 ,IXYS
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IXFK32N50Q
IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK32N50Q, 32 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264AA封装
制造商零件编号:
IXFK32N50Q
制造商:
IXYS
IXYS
库存编号:
711-5386
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IXFK32N50Q产品详细信息
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET? Q 系列
N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET?)
IXFK32N50Q产品技术参数
安装类型
通孔
长度
19.96mm
尺寸
19.96 x 5.13 x 26.16mm
典型关断延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
35 ns
典型输入电容值@Vds
3950 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
150 nC @ 10 V
封装类型
TO-264AA
高度
26.16mm
晶体管配置
单
宽度
5.13mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
HiperFET, Q-Class
引脚数目
3
最大功率耗散
416 W
最大连续漏极电流
32 A
最大漏源电压
500 V
最大漏源电阻值
160 mΩ
最大栅阈值电压
4.5V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
IXFK32N50Q相关搜索
安装类型 通孔
IXYS 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
IXYS MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 19.96mm
IXYS 长度 19.96mm
MOSFET 晶体管 长度 19.96mm
IXYS MOSFET 晶体管 长度 19.96mm
尺寸 19.96 x 5.13 x 26.16mm
IXYS 尺寸 19.96 x 5.13 x 26.16mm
MOSFET 晶体管 尺寸 19.96 x 5.13 x 26.16mm
IXYS MOSFET 晶体管 尺寸 19.96 x 5.13 x 26.16mm
典型关断延迟时间 75 ns
IXYS 典型关断延迟时间 75 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 75 ns
IXYS MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 35 ns
IXYS 典型接通延迟时间 35 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 35 ns
IXYS MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 35 ns
典型输入电容值@Vds 3950 pF @ 25 V
IXYS 典型输入电容值@Vds 3950 pF @ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3950 pF @ 25 V
IXYS MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3950 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V
IXYS 典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V
IXYS MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V
封装类型 TO-264AA
IXYS 封装类型 TO-264AA
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-264AA
IXYS MOSFET 晶体管 封装类型 TO-264AA
高度 26.16mm
IXYS 高度 26.16mm
MOSFET 晶体管 高度 26.16mm
IXYS MOSFET 晶体管 高度 26.16mm
晶体管配置 单
IXYS 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
IXYS MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 5.13mm
IXYS 宽度 5.13mm
MOSFET 晶体管 宽度 5.13mm
IXYS MOSFET 晶体管 宽度 5.13mm
类别 功率 MOSFET
IXYS 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
IXYS MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
IXYS 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
IXYS MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
IXYS 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
IXYS MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
IXYS 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
IXYS MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 HiperFET, Q-Class
IXYS 系列 HiperFET, Q-Class
MOSFET 晶体管 系列 HiperFET, Q-Class
IXYS MOSFET 晶体管 系列 HiperFET, Q-Class
引脚数目 3
IXYS 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
IXYS MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 416 W
IXYS 最大功率耗散 416 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 416 W
IXYS MOSFET 晶体管 最大功率耗散 416 W
最大连续漏极电流 32 A
IXYS 最大连续漏极电流 32 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 32 A
IXYS MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 32 A
最大漏源电压 500 V
IXYS 最大漏源电压 500 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V
IXYS MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V
最大漏源电阻值 160 mΩ
IXYS 最大漏源电阻值 160 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 160 mΩ
IXYS MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 160 mΩ
最大栅阈值电压 4.5V
IXYS 最大栅阈值电压 4.5V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4.5V
IXYS MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4.5V
最大栅源电压 ±20 V
IXYS 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最低工作温度 -55 °C
IXYS 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
IXYS MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
IXYS 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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IXFK32N50Q产品技术参数资料
IXFK 32N50Q HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS Data Sheet
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