关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	通孔
长度	20.29mm
尺寸	20.29 x 5.31 x 26.59mm
典型关断延迟时间	60 ns
典型接通延迟时间	26 ns
典型输入电容值@Vds	7200 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	260 nC @ 10 V
封装类型	PLUS264
高度	26.59mm
晶体管配置	单
宽度	5.31mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	HiperFET, Q-Class
引脚数目	3
最大功率耗散	890 W
最大连续漏极电流	50 A
最大漏源电压	800 V
最大漏源电阻值	150 mΩ
最大栅阈值电压	5.5V
最大栅源电压	±30 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  IXYS MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 20.29mm  IXYS 长度 20.29mm  MOSFET 晶体管 长度 20.29mm  IXYS MOSFET 晶体管 长度 20.29mm   尺寸 20.29 x 5.31 x 26.59mm  IXYS 尺寸 20.29 x 5.31 x 26.59mm  MOSFET 晶体管 尺寸 20.29 x 5.31 x 26.59mm  IXYS MOSFET 晶体管 尺寸 20.29 x 5.31 x 26.59mm   典型关断延迟时间 60 ns  IXYS 典型关断延迟时间 60 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 60 ns  IXYS MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 60 ns   典型接通延迟时间 26 ns  IXYS 典型接通延迟时间 26 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 26 ns  IXYS MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 26 ns   典型输入电容值@Vds 7200 pF @ 25 V  IXYS 典型输入电容值@Vds 7200 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 7200 pF @ 25 V  IXYS MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 7200 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 260 nC @ 10 V  IXYS 典型栅极电荷@Vgs 260 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 260 nC @ 10 V  IXYS MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 260 nC @ 10 V   封装类型 PLUS264  IXYS 封装类型 PLUS264  MOSFET 晶体管 封装类型 PLUS264  IXYS MOSFET 晶体管 封装类型 PLUS264   高度 26.59mm  IXYS 高度 26.59mm  MOSFET 晶体管 高度 26.59mm  IXYS MOSFET 晶体管 高度 26.59mm   晶体管配置 单  IXYS 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  IXYS MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.31mm  IXYS 宽度 5.31mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.31mm  IXYS MOSFET 晶体管 宽度 5.31mm   类别 功率 MOSFET  IXYS 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  IXYS MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  IXYS 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  IXYS MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  IXYS 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  IXYS MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  IXYS 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  IXYS MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HiperFET, Q-Class  IXYS 系列 HiperFET, Q-Class  MOSFET 晶体管 系列 HiperFET, Q-Class  IXYS MOSFET 晶体管 系列 HiperFET, Q-Class   引脚数目 3  IXYS 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  IXYS MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 890 W  IXYS 最大功率耗散 890 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 890 W  IXYS MOSFET 晶体管 最大功率耗散 890 W   最大连续漏极电流 50 A  IXYS 最大连续漏极电流 50 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 50 A  IXYS MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 50 A   最大漏源电压 800 V  IXYS 最大漏源电压 800 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 800 V  IXYS MOSFET 晶体管 最大漏源电压 800 V   最大漏源电阻值 150 mΩ  IXYS 最大漏源电阻值 150 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 150 mΩ  IXYS MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 150 mΩ   最大栅阈值电压 5.5V  IXYS 最大栅阈值电压 5.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5.5V  IXYS MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5.5V   最大栅源电压 ±30 V  IXYS 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  IXYS MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  IXYS 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  IXYS MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  IXYS 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  IXYS MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• Datasheet