IXFK20N120,711-5342,IXYS HiperFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK20N120, 20 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-264AA封装 ,IXYS
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
>
IXFK20N120
IXYS HiperFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK20N120, 20 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-264AA封装
制造商零件编号:
IXFK20N120
制造商:
IXYS
IXYS
库存编号:
711-5342
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IXFK20N120产品详细信息
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET? 系列
IXFK20N120产品技术参数
安装类型
通孔
长度
19.96mm
尺寸
19.96 x 5.13 x 26.16mm
典型关断延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
25 ns
典型输入电容值@Vds
7400 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
160 nC @ 10 V
封装类型
TO-264AA
高度
26.16mm
宽度
5.13mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
HiperFET
引脚数目
3
最大功率耗散
780 W
最大连续漏极电流
20 A
最大漏源电压
1200 V
最大漏源电阻值
750 mΩ
最大栅阈值电压
4.5V
最大栅源电压
±30 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
IXFK20N120相关搜索
安装类型 通孔
IXYS 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
IXYS MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 19.96mm
IXYS 长度 19.96mm
MOSFET 晶体管 长度 19.96mm
IXYS MOSFET 晶体管 长度 19.96mm
尺寸 19.96 x 5.13 x 26.16mm
IXYS 尺寸 19.96 x 5.13 x 26.16mm
MOSFET 晶体管 尺寸 19.96 x 5.13 x 26.16mm
IXYS MOSFET 晶体管 尺寸 19.96 x 5.13 x 26.16mm
典型关断延迟时间 75 ns
IXYS 典型关断延迟时间 75 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 75 ns
IXYS MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 25 ns
IXYS 典型接通延迟时间 25 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 25 ns
IXYS MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 25 ns
典型输入电容值@Vds 7400 pF @ 25 V
IXYS 典型输入电容值@Vds 7400 pF @ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 7400 pF @ 25 V
IXYS MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 7400 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V
IXYS 典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V
IXYS MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V
封装类型 TO-264AA
IXYS 封装类型 TO-264AA
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-264AA
IXYS MOSFET 晶体管 封装类型 TO-264AA
高度 26.16mm
IXYS 高度 26.16mm
MOSFET 晶体管 高度 26.16mm
IXYS MOSFET 晶体管 高度 26.16mm
宽度 5.13mm
IXYS 宽度 5.13mm
MOSFET 晶体管 宽度 5.13mm
IXYS MOSFET 晶体管 宽度 5.13mm
类别 功率 MOSFET
IXYS 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
IXYS MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
IXYS 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
IXYS MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
IXYS 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
IXYS MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
IXYS 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
IXYS MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 HiperFET
IXYS 系列 HiperFET
MOSFET 晶体管 系列 HiperFET
IXYS MOSFET 晶体管 系列 HiperFET
引脚数目 3
IXYS 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
IXYS MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 780 W
IXYS 最大功率耗散 780 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 780 W
IXYS MOSFET 晶体管 最大功率耗散 780 W
最大连续漏极电流 20 A
IXYS 最大连续漏极电流 20 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 20 A
IXYS MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 20 A
最大漏源电压 1200 V
IXYS 最大漏源电压 1200 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 1200 V
IXYS MOSFET 晶体管 最大漏源电压 1200 V
最大漏源电阻值 750 mΩ
IXYS 最大漏源电阻值 750 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 750 mΩ
IXYS MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 750 mΩ
最大栅阈值电压 4.5V
IXYS 最大栅阈值电压 4.5V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4.5V
IXYS MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4.5V
最大栅源电压 ±30 V
IXYS 最大栅源电压 ±30 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V
IXYS MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V
最低工作温度 -55 °C
IXYS 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
IXYS MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
IXYS 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
IXYS MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
IXFK20N120产品技术参数资料
Datasheet
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号