TP0610K-T1-E3,710-4544,Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 TP0610K-T1-E3, 185 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-236封装 ,Vishay
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 TP0610K-T1-E3, 185 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-236封装

制造商零件编号：
TP0610K-T1-E3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
710-4544
Vishay TP0610K-T1-E3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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TP0610K-T1-E3
库存编号:781-TP0610K-E3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23318207
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TP0610K-T1-E3
库存编号:TP0610K-T1-E3		 Vishay Intertechnologies Semiconductors2405
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TP0610K-T1-E3
库存编号:TP0610K-T1-E3		 Vishay Intertechnologies Power MOSFET, P Channel, 60 V, 185 mA, 6 Ohm, SOT-23 (TO-236), 3 Pins, Surface Mount - Tape and Reel (Alt: TP0610K-T1-E3)45000
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TP0610K-T1-E3
库存编号:35K3509		 Vishay Intertechnologies Power MOSFET, P Channel, 60 V, 185 mA, 6 Ohm, SOT-23 (TO-236), 3 Pins, Surface Mount - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 35K3509)0
1起订		1+
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(工作日)		 操作
TP0610K-T1-E3
库存编号:87685111		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R60000
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30000+
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TP0610K-T1-E3
库存编号:80895235		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R9000
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TP0610K-T1-E3
库存编号:87685108		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R6000
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TP0610K-T1-E3
库存编号:69062766		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R2405
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TP0610K-T1-E3
库存编号:59173443		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R590
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TP0610K-T1-E3
库存编号:2396091		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, P, -60V, -185A, SOT-23-31416
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TP0610K-T1-E3
库存编号:2396091RL		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, P, -60V, -185A, SOT-23-31416
100起订		100+
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1000+
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TP0610K-T1-E3
库存编号:1838459		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, P, -60V, 185mA, TO-2368
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1000+
5000+
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
TP0610K-T1-E3
库存编号:TP0610K-T1-E3		Vishay IntertechnologiesMOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-2372000
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TP0610K-T1-E3
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1-3周购买 购买
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  英国8号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
TP0610K-T1-E3 Vishay Intertechnologies 185 MA, 60 V, P-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB5919
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TP0610K-T1-E3 Vishay Intertechnologies 185 MA, 60 V, P-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB2279
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127+
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TP0610K-T1-E3 Vishay Siliconix 185 MA, 60 V, P-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB849
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TP0610K-T1-E3 Vishay Intertechnologies 185 MA, 60 V, P-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB412
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124+
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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TP0610K-T1-E3
库存编号:1526382P		 Vishay Intertechnologies P-channel MOSFET 60V 185mA 6 Ohm SOT-23, RL8850
750起订		750+
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TP0610K-T1-E3
库存编号:1464448		 Vishay Intertechnologies P-channel MOSFET 60V 185mA 6 Ohm SOT-23, RL8850
3000起订		3000+
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30000+
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TP0610K-T1-E3
库存编号:1526382		 Vishay Intertechnologies P-channel MOSFET 60V 185mA 6 Ohm SOT-23, PK125
25起订		25+
750+
1500+
￥3.61
￥3.5
￥3.39
1-3周购买 购买
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  香港8号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
TP0610K-T1-E3 Vishay Intertechnologies RoHS (ship within 1day) - D/C 20232849
1起订		1+
50+
100+
300+
500+
1000+
￥5.68
￥3.73
￥2.92
￥2.37
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TP0610K-T1-E3产品详细信息

P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor

TP0610K-T1-E3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.04mm  
  尺寸  3.04 x 1.4 x 1.02mm  
  典型输入电容值@Vds  23 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  1.7 nC @ 15 V  
  封装类型  TO-236  
  高度  1.02mm  
  宽度  1.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  350 mW  
  最大连续漏极电流  185 mA  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  6 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.04mm  Vishay 长度 3.04mm  MOSFET 晶体管 长度 3.04mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 3.04mm   尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm  Vishay 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm   典型输入电容值@Vds 23 pF @ 25 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 23 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 23 pF @ 25 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 23 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 1.7 nC @ 15 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 1.7 nC @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 1.7 nC @ 15 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 1.7 nC @ 15 V   封装类型 TO-236  Vishay 封装类型 TO-236  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-236  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-236   高度 1.02mm  Vishay 高度 1.02mm  MOSFET 晶体管 高度 1.02mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 1.02mm   宽度 1.4mm  Vishay 宽度 1.4mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Vishay 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Vishay 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 350 mW  Vishay 最大功率耗散 350 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 350 mW  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 350 mW   最大连续漏极电流 185 mA  Vishay 最大连续漏极电流 185 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 185 mA  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 185 mA   最大漏源电压 60 V  Vishay 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 6 Ω  Vishay 最大漏源电阻值 6 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 6 Ω  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 6 Ω   最大栅源电压 ±20 V  Vishay 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  Vishay 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  
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TP0610K-T1-E3
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MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3

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MOSFET 60V 0.185A

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Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin TO-236 T/R - Cut TR (SOS) (Alt: TP0610K-T1-E3/BKN)

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Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: TP0610K-T1-E3)

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Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin TO-236 T/R - Tape and Reel (Alt: TP0610K-T1-E3)

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Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R

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MOSFET, P-CH, -60V, -185A, SOT-23-3

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P CHANNEL MOSFET, -60V, 185MA, TO-236

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P-Channel 60 V 10 O 1.7 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23

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P-Channel 60 V 10 O 1.7 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23

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MOSFET, P-Ch, VDSS -60V, RDS(ON) 10 Ohms, ID -185mA, TO-236 (SOT-23), PD 350mW, -55degc

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MOSFET 60V 0.185A

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MOSFET 60V 0.185A

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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185 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB

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185 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB

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TP0610K-T1-E3|VISHAYTP0610K-T1-E3
VISHAY		单 P 沟道 60 V 10 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
TP0610K-T1-E3|Vishay SiliconixTP0610K-T1-E3
Vishay Siliconix		MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - TP0610K-T1-E3 - Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 TP0610K-T1-E3, 185 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-236封装
制造商零件编号：
TP0610K-T1-E3
品牌：
Vishay
库存编号：
710-4544
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无图TP0610K-T1-E3
VISHAY		单 P 沟道 60 V 10 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236
Rohs

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TP0610K-T1-E3|Vishay SiliconixTP0610K-T1-E3
Vishay Siliconix		MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
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Siliconix / Vishay - TP0610K-T1-E3 - -55degc PD 350mW TO-236 (SOT-23) ID -185mA RDS(ON) 10 Ohms VDSS -60V P-Ch MOSFET|70026028 | ChuangWei Electronics		Siliconix / Vishay
MOSFET; P-Ch; VDSS -60V; RDS(ON) 10 Ohms; ID -185mA; TO-236 (SOT-23); PD 350mW; -55degc

型号：TP0610K-T1-E3
仓库库存编号：70026028

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
TP0610K-T1-E3
VISHAY TP0610K-T1-E3		2396091

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, -185 mA, -60 V, 6 ohm, -10 V, -3 V

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TP0610K-T1-E3
VISHAY TP0610K-T1-E3		1838459

VISHAY

场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 185mA, TO-236

 (EN)		搜索
TP0610K-T1-E3
VISHAY TP0610K-T1-E3		2370304

VISHAY

场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -185mA, SOT-23, 整卷

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Vishay Siliconix - TP0610K-T1-E3 - MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3		Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 185mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

型号：TP0610K-T1-E3
仓库库存编号：TP0610K-T1-E3CT-ND
别名：TP0610K-T1-E3CT <br>

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QQ:800152669

TP0610K-T1-E3产品技术参数资料

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