2N7002-T1-E3,710-4531,Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 2N7002-T1-E3, 115 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装 ,Vishay
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 2N7002-T1-E3, 115 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号:
2N7002-T1-E3
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
710-4531
Vishay 2N7002-T1-E3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

2N7002-T1-E3产品详细信息

N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor

2N7002-T1-E3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.04mm  
  尺寸  3.04 x 1.4 x 1.02mm  
  典型输入电容值@Vds  22 pF @ 25 V  
  封装类型  SOT-23  
  高度  1.02mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  200 mW  
  最大连续漏极电流  115 mA  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  7.5 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

2N7002-T1-E3产品技术参数资料

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