SI4800BDY-T1-E3,710-3351,Vishay N沟道 MOSFET SI4800BDY-T1-E3, 6.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 ,Vishay
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Vishay N沟道 MOSFET SI4800BDY-T1-E3, 6.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
SI4800BDY-T1-E3
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
710-3351
Vishay SI4800BDY-T1-E3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SI4800BDY-T1-E3产品详细信息

N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor

SI4800BDY-T1-E3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.55mm  
  典型关断延迟时间  32 ns  
  典型接通延迟时间  7 ns  
  典型栅极电荷@Vgs  8.7 nC @ 5 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.55mm  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  1300 mW  
  最大连续漏极电流  6.5 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  18.5 mΩ  
  最大栅源电压  ±25 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.8V  
关键词         

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI4800BDY-T1-E3产品技术参数资料

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