SI4435DDY-T1-GE3,710-3339,Vishay Si P沟道 MOSFET SI4435DDY-T1-GE3, 8.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 ,Vishay
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI4435DDY-T1-GE3, 8.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号：
SI4435DDY-T1-GE3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
710-3339
Vishay SI4435DDY-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

SI4435DDY-T1-GE3产品详细信息

P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor

SI4435DDY-T1-GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  40 ns, 45 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns, 42 ns  
  典型输入电容值@Vds  1350 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  15 nC @ 4.5 V，32 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2500 mW  
  最大连续漏极电流  8.1 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  24 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI4435DDY-T1-GE3产品技术参数资料

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