SI4116DY-T1-GE3,710-3317,Vishay N沟道 Si MOSFET SI4116DY-T1-GE3, 12.7 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装 ,Vishay
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Vishay N沟道 Si MOSFET SI4116DY-T1-GE3, 12.7 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号：
SI4116DY-T1-GE3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
710-3317
Vishay SI4116DY-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

SI4116DY-T1-GE3产品详细信息

N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor

SI4116DY-T1-GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.55mm  
  典型关断延迟时间  50 ns  
  典型接通延迟时间  13 ns  
  典型输入电容值@Vds  1925 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  17.5 nC @ 4.5 V，37 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.55mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2500 mW  
  最大连续漏极电流  12.7 A  
  最大漏源电压  25 V  
  最大漏源电阻值  9 mΩ  
  最大栅源电压  ±12 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.6V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI4116DY-T1-GE3产品技术参数资料

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