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安装类型	表面贴装
长度	3.05mm
尺寸	3.05 x 1.65 x 1mm
典型关断延迟时间	16 ns
典型接通延迟时间	9 ns
典型栅极电荷@Vgs	5.5 nC @ 10 V
封装类型	TSOP
高度	1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.65mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	6
最大功率耗散	1.14 W
最大连续漏极电流	1.8 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	170 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

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• Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A