SI2328DS-T1-E3,710-3266,Vishay Si N沟道 MOSFET SI2328DS-T1-E3, 1.15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-236封装 ,Vishay
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI2328DS-T1-E3, 1.15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-236封装

制造商零件编号:
SI2328DS-T1-E3
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
710-3266
Vishay SI2328DS-T1-E3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SI2328DS-T1-E3产品详细信息

N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor

SI2328DS-T1-E3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.04mm  
  尺寸  3.04 x 1.4 x 1.02mm  
  典型关断延迟时间  9 ns  
  典型接通延迟时间  7 ns  
  典型栅极电荷@Vgs  3.3 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-236  
  高度  1.02mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  730 mW  
  最大连续漏极电流  1.15 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  250 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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SI2328DS-T1-E3产品技术参数资料

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