SI2309CDS-T1-GE3,710-3250,Vishay Si P沟道 MOSFET SI2309CDS-T1-GE3, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装 ,Vishay
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI2309CDS-T1-GE3, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号：
SI2309CDS-T1-GE3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
710-3250
Vishay SI2309CDS-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

SI2309CDS-T1-GE3产品详细信息

P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor

SI2309CDS-T1-GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.04mm  
  尺寸  3.04 x 1.4 x 1.02mm  
  典型关断延迟时间  15 ns  
  典型接通延迟时间  40 ns  
  典型输入电容值@Vds  210 pF @ 30 V  
  典型栅极电荷@Vgs  2.7 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SOT-23  
  高度  1.02mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  1 W  
  最大连续漏极电流  1.2 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  345 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI2309CDS-T1-GE3产品技术参数资料

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