IRFZ34PBF,708-4869,Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ34PBF, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Vishay
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IRFZ34PBF
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ34PBF, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号:
IRFZ34PBF
制造商:
Vishay
Vishay
库存编号:
708-4869
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFZ34PBF产品详细信息
N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor
IRFZ34PBF产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.41mm
尺寸
10.41 x 4.7 x 9.01mm
典型关断延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
13 ns
典型输入电容值@Vds
1200 pF V @ 25
典型栅极电荷@Vgs
46 nC V @ 10
封装类型
TO-220AB
高度
9.01mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.7mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
88000 mW
最大连续漏极电流
30 A
最大漏源电压
60 V
最大漏源电阻值
0.05 Ω
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
最小栅阈值电压
2V
关键词
IRFZ34PBF关联产品
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Weller WSD 81i 1输出 230V 焊接工作站, F 型 - Schuko 插头
制造商零件编号:
T0053294699N
品牌:
Weller
库存编号:
798-9348
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安装类型 通孔
Vishay 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 10.41mm
Vishay 长度 10.41mm
MOSFET 晶体管 长度 10.41mm
Vishay MOSFET 晶体管 长度 10.41mm
尺寸 10.41 x 4.7 x 9.01mm
Vishay 尺寸 10.41 x 4.7 x 9.01mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.41 x 4.7 x 9.01mm
Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 10.41 x 4.7 x 9.01mm
典型关断延迟时间 29 ns
Vishay 典型关断延迟时间 29 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 29 ns
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典型接通延迟时间 13 ns
Vishay 典型接通延迟时间 13 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns
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典型输入电容值@Vds 1200 pF V @ 25
Vishay 典型输入电容值@Vds 1200 pF V @ 25
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1200 pF V @ 25
Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1200 pF V @ 25
典型栅极电荷@Vgs 46 nC V @ 10
Vishay 典型栅极电荷@Vgs 46 nC V @ 10
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 46 nC V @ 10
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封装类型 TO-220AB
Vishay 封装类型 TO-220AB
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB
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高度 9.01mm
Vishay 高度 9.01mm
MOSFET 晶体管 高度 9.01mm
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晶体管材料 Si
Vishay 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Vishay 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
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宽度 4.7mm
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MOSFET 晶体管 宽度 4.7mm
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类别 功率 MOSFET
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每片芯片元件数目 1
Vishay 每片芯片元件数目 1
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通道类型 N
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MOSFET 晶体管 通道类型 N
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通道模式 增强
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MOSFET 晶体管 通道模式 增强
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引脚数目 3
Vishay 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
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最大功率耗散 88000 mW
Vishay 最大功率耗散 88000 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 88000 mW
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最大连续漏极电流 30 A
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MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 A
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最大漏源电压 60 V
Vishay 最大漏源电压 60 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
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最大漏源电阻值 0.05 Ω
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MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.05 Ω
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最大栅源电压 ±20 V
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MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最低工作温度 -55 °C
Vishay 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +175 °C
Vishay 最高工作温度 +175 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
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最小栅阈值电压 2V
Vishay 最小栅阈值电压 2V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
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IRFZ34PBF产品技术参数资料
Trans MOSFET N-CH 60V 30A
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