IRFUC20PBF,708-4850,Vishay Si N沟道 MOSFET IRFUC20PBF, 2 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装 ,Vishay
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFUC20PBF, 2 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装

制造商零件编号：
IRFUC20PBF
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
708-4850
Vishay IRFUC20PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRFUC20PBF产品详细信息

N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor

IRFUC20PBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 2.38 x 6.22mm  
  典型关断延迟时间  30 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型输入电容值@Vds  350 pF V @ 25  
  典型栅极电荷@Vgs  18 nC V @ 10  
  封装类型  IPAK  
  高度  6.22mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  2.38mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  2500 mW  
  最大连续漏极电流  2 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  4.4 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRFUC20PBF产品技术参数资料

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