IRFR024PBF,708-4819,Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR024PBF, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装 ,Vishay
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IRFR024PBF
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR024PBF, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号:
IRFR024PBF
制造商:
Vishay
Vishay
库存编号:
708-4819
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFR024PBF产品详细信息
N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor
IRFR024PBF产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.73mm
尺寸
6.73 x 6.22 x 2.38mm
典型关断延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
13 ns
典型输入电容值@Vds
640 pF V @ 25
典型栅极电荷@Vgs
25 nC V @ 10
封装类型
DPAK
高度
2.38mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
6.22mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
2500 mW
最大连续漏极电流
14 A
最大漏源电压
60 V
最大漏源电阻值
0.1 Ω
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
2V
关键词
IRFR024PBF配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
EPCOS 20A 表面贴装 电流互感器 CT B82801B0205A100, 1:100匝数比
制造商零件编号:
B82801B0205A100
品牌:
EPCOS
库存编号:
871-1613
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安装类型 表面贴装
Vishay 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.73mm
Vishay 长度 6.73mm
MOSFET 晶体管 长度 6.73mm
Vishay MOSFET 晶体管 长度 6.73mm
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
Vishay 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
典型关断延迟时间 25 ns
Vishay 典型关断延迟时间 25 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 25 ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 13 ns
Vishay 典型接通延迟时间 13 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns
典型输入电容值@Vds 640 pF V @ 25
Vishay 典型输入电容值@Vds 640 pF V @ 25
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 640 pF V @ 25
Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 640 pF V @ 25
典型栅极电荷@Vgs 25 nC V @ 10
Vishay 典型栅极电荷@Vgs 25 nC V @ 10
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 25 nC V @ 10
Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 25 nC V @ 10
封装类型 DPAK
Vishay 封装类型 DPAK
MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK
Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK
高度 2.38mm
Vishay 高度 2.38mm
MOSFET 晶体管 高度 2.38mm
Vishay MOSFET 晶体管 高度 2.38mm
晶体管材料 Si
Vishay 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Vishay 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
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宽度 6.22mm
Vishay 宽度 6.22mm
MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm
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类别 功率 MOSFET
Vishay 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Vishay 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
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通道类型 N
Vishay 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
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通道模式 增强
Vishay 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
Vishay 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 2500 mW
Vishay 最大功率耗散 2500 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2500 mW
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最大连续漏极电流 14 A
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MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 14 A
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最大漏源电压 60 V
Vishay 最大漏源电压 60 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
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最大漏源电阻值 0.1 Ω
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MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.1 Ω
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最大栅源电压 ±20 V
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MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最低工作温度 -55 °C
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MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
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最小栅阈值电压 2V
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MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
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IRFR024PBF产品技术参数资料
Trans MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
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