IRFI820GPBF,708-4771,Vishay Si N沟道 MOSFET IRFI820GPBF, 2.1 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装 ,Vishay
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFI820GPBF, 2.1 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装

制造商零件编号：
IRFI820GPBF
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
708-4771
Vishay IRFI820GPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRFI820GPBF产品详细信息

N 通道 MOSFET，500V，Vishay Semiconductor

IRFI820GPBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  典型关断延迟时间  33 ns  
  典型接通延迟时间  8 ns  
  典型输入电容值@Vds  360 pF V @ 25  
  典型栅极电荷@Vgs  24 nC V @ 10  
  封装类型  TO-220 Full-Pak  
  高度  9.8mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  30000 mW  
  最大连续漏极电流  2.1 A  
  最大漏源电压  500 V  
  最大漏源电阻值  3 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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IRFI820GPBF产品技术参数资料

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