IRFBC30APBF,708-4768,Vishay N沟道 Si MOSFET IRFBC30APBF, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Vishay
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IRFBC30APBF
Vishay N沟道 Si MOSFET IRFBC30APBF, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号:
IRFBC30APBF
制造商:
Vishay
Vishay
库存编号:
708-4768
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFBC30APBF产品详细信息
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor
IRFBC30APBF产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.41mm
尺寸
10.41 x 4.7 x 9.01mm
典型关断延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
9.8 ns
典型输入电容值@Vds
510 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
23 nC @ 10 V
封装类型
TO-220AB
高度
9.01mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.7mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
74 W
最大连续漏极电流
3.6 A
最大漏源电压
600 V
最大漏源电阻值
2.2 Ω
最大栅源电压
±30 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
2V
关键词
IRFBC30APBF关联产品
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Weller WSD 81i 1输出 230V 焊接工作站, F 型 - Schuko 插头
制造商零件编号:
T0053294699N
品牌:
Weller
库存编号:
798-9348
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IRFBC30APBF相关搜索
安装类型 通孔
Vishay 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 10.41mm
Vishay 长度 10.41mm
MOSFET 晶体管 长度 10.41mm
Vishay MOSFET 晶体管 长度 10.41mm
尺寸 10.41 x 4.7 x 9.01mm
Vishay 尺寸 10.41 x 4.7 x 9.01mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.41 x 4.7 x 9.01mm
Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 10.41 x 4.7 x 9.01mm
典型关断延迟时间 19 ns
Vishay 典型关断延迟时间 19 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 19 ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 9.8 ns
Vishay 典型接通延迟时间 9.8 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9.8 ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9.8 ns
典型输入电容值@Vds 510 pF@ 25 V
Vishay 典型输入电容值@Vds 510 pF@ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 510 pF@ 25 V
Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 510 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V
Vishay 典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V
Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V
封装类型 TO-220AB
Vishay 封装类型 TO-220AB
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB
Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB
高度 9.01mm
Vishay 高度 9.01mm
MOSFET 晶体管 高度 9.01mm
Vishay MOSFET 晶体管 高度 9.01mm
晶体管材料 Si
Vishay 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Vishay 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.7mm
Vishay 宽度 4.7mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.7mm
Vishay MOSFET 晶体管 宽度 4.7mm
类别 功率 MOSFET
Vishay 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Vishay 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
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通道类型 N
Vishay 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
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通道模式 增强
Vishay 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
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引脚数目 3
Vishay 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
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最大功率耗散 74 W
Vishay 最大功率耗散 74 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 74 W
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最大连续漏极电流 3.6 A
Vishay 最大连续漏极电流 3.6 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.6 A
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最大漏源电压 600 V
Vishay 最大漏源电压 600 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V
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最大漏源电阻值 2.2 Ω
Vishay 最大漏源电阻值 2.2 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.2 Ω
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最大栅源电压 ±30 V
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MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V
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最低工作温度 -55 °C
Vishay 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
Vishay 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小栅阈值电压 2V
Vishay 最小栅阈值电压 2V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
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IRFBC30APBF产品技术参数资料
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A
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