IRF840SPBF,708-4752,Vishay Si N沟道 MOSFET IRF840SPBF, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装 ,Vishay
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IRF840SPBF
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF840SPBF, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号:
IRF840SPBF
制造商:
Vishay
Vishay
库存编号:
708-4752
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRF840SPBF产品详细信息
N 通道 MOSFET,500V,Vishay Semiconductor
IRF840SPBF产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
10.41mm
尺寸
10.41 x 9.65 x 4.83mm
典型关断延迟时间
49 ns
典型接通延迟时间
14 ns
典型输入电容值@Vds
1300 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
63 nC @ 10 V
封装类型
D2PAK
高度
4.83mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
9.65mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
3100 mW
最大连续漏极电流
8 A
最大漏源电压
500 V
最大漏源电阻值
850 mΩ
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
2V
关键词
IRF840SPBF配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
EPCOS 20A 表面贴装 电流互感器 CT B82801B0205A100, 1:100匝数比
制造商零件编号:
B82801B0205A100
品牌:
EPCOS
库存编号:
871-1613
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安装类型 表面贴装
Vishay 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 10.41mm
Vishay 长度 10.41mm
MOSFET 晶体管 长度 10.41mm
Vishay MOSFET 晶体管 长度 10.41mm
尺寸 10.41 x 9.65 x 4.83mm
Vishay 尺寸 10.41 x 9.65 x 4.83mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.41 x 9.65 x 4.83mm
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典型关断延迟时间 49 ns
Vishay 典型关断延迟时间 49 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 49 ns
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典型接通延迟时间 14 ns
Vishay 典型接通延迟时间 14 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 14 ns
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典型输入电容值@Vds 1300 pF@ 25 V
Vishay 典型输入电容值@Vds 1300 pF@ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1300 pF@ 25 V
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典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V
Vishay 典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V
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封装类型 D2PAK
Vishay 封装类型 D2PAK
MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK
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高度 4.83mm
Vishay 高度 4.83mm
MOSFET 晶体管 高度 4.83mm
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晶体管材料 Si
Vishay 晶体管材料 Si
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晶体管配置 单
Vishay 晶体管配置 单
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宽度 9.65mm
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MOSFET 晶体管 宽度 9.65mm
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类别 功率 MOSFET
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每片芯片元件数目 1
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通道类型 N
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MOSFET 晶体管 通道类型 N
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通道模式 增强
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引脚数目 3
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MOSFET 晶体管 引脚数目 3
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最大功率耗散 3100 mW
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最大漏源电阻值 850 mΩ
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MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
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IRF840SPBF产品技术参数资料
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