2N6661-E3,708-2841,Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 2N6661-E3, 900 mA, Vds=90 V, 3引脚 TO-205AD封装 ,Vishay
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 2N6661-E3, 900 mA, Vds=90 V, 3引脚 TO-205AD封装

制造商零件编号：
2N6661-E3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
708-2841
Vishay 2N6661-E3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

2N6661-E3产品详细信息

N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor

2N6661-E3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  9.4mm  
  尺寸  9.4 x 8.15 x 6.6mm  
  典型输入电容值@Vds  35 pF V @ 24  
  封装类型  TO-205AD  
  高度  6.6mm  
  宽度  8.15mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  6250 mW  
  最大连续漏极电流  0.9 A  
  最大漏源电压  90 V  
  最大漏源电阻值  4 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.8V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

2N6661-E3产品技术参数资料

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