ZXMN2B03E6TA,708-2618,DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN2B03E6TA, 5.4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装 ,DiodesZetex
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN2B03E6TA, 5.4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装

制造商零件编号:
ZXMN2B03E6TA
库存编号:
708-2618
DiodesZetex ZXMN2B03E6TA
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

ZXMN2B03E6TA产品详细信息

N 通道 MOSFET,12V 至 28V,Diodes Inc

ZXMN2B03E6TA产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.1mm  
  尺寸  3.1 x 1.8 x 1.3mm  
  典型关断延迟时间  33.9 ns  
  典型接通延迟时间  4.2 ns  
  典型输入电容值@Vds  1160 pF @ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  14.5 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SOT-23  
  高度  1.3mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.8mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  1.7 W  
  最大连续漏极电流  5.4 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  75 mΩ  
  最大栅阈值电压  1V  
  最大栅源电压  ±8 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

ZXMN2B03E6TA相关搜索

安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.1mm  DiodesZetex 长度 3.1mm  MOSFET 晶体管 长度 3.1mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 3.1mm   尺寸 3.1 x 1.8 x 1.3mm  DiodesZetex 尺寸 3.1 x 1.8 x 1.3mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.1 x 1.8 x 1.3mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 3.1 x 1.8 x 1.3mm   典型关断延迟时间 33.9 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 33.9 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 33.9 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 33.9 ns   典型接通延迟时间 4.2 ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 4.2 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.2 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.2 ns   典型输入电容值@Vds 1160 pF @ 10 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 1160 pF @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1160 pF @ 10 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1160 pF @ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 14.5 nC @ 4.5 V  DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 14.5 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 14.5 nC @ 4.5 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 14.5 nC @ 4.5 V   封装类型 SOT-23  DiodesZetex 封装类型 SOT-23  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23   高度 1.3mm  DiodesZetex 高度 1.3mm  MOSFET 晶体管 高度 1.3mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 1.3mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  DiodesZetex 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.8mm  DiodesZetex 宽度 1.8mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.8mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 1.8mm   类别 功率 MOSFET  DiodesZetex 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  DiodesZetex MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  DiodesZetex 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  DiodesZetex 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 6  DiodesZetex 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 1.7 W  DiodesZetex 最大功率耗散 1.7 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.7 W  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.7 W   最大连续漏极电流 5.4 A  DiodesZetex 最大连续漏极电流 5.4 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.4 A  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.4 A   最大漏源电压 20 V  DiodesZetex 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 75 mΩ  DiodesZetex 最大漏源电阻值 75 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 75 mΩ  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 75 mΩ   最大栅阈值电压 1V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V   最大栅源电压 ±8 V  DiodesZetex 最大栅源电压 ±8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

ZXMN2B03E6TA产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号