ZXMN10A11KTC,708-2602,DiodesZetex N沟道 MOSFET ZXMN10A11KTC, 3.5 A, Vds=100 V, 4引脚 TO-252封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex N沟道 MOSFET ZXMN10A11KTC, 3.5 A, Vds=100 V, 4引脚 TO-252封装

制造商零件编号：
ZXMN10A11KTC
库存编号：
708-2602
DiodesZetex ZXMN10A11KTC
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ZXMN10A11KTC
库存编号:ZXMN10A11KTCDICT-ND		 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-20
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ZXMN10A11KTC
库存编号:ZXMN10A11KTCDIDKR-ND		 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-20
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ZXMN10A11KTC
库存编号:ZXMN10A11KTCDITR-ND		 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-20
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ZXMN10A11KTC
库存编号:522-ZXMN10A11KTC		 Diodes Incorporated MOSFETs N-Chan 100V MOSFET (UMOS)1707
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ZXMN10A11KTC
库存编号:ZXMN10A11KTC		 Diodes Incorporated Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: ZXMN10A11KTC)0
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ZXMN10A11KTC
库存编号:ZXMN10A11KTC		 Diodes Incorporated Transistor: N-MOSFET, unipolar, 100V, 3.1A, 4.06W, TO2520
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ZXMN10A11KTC Diodes Incorporated POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2.4A I(D), 100V, 0.35OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET110
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ZXMN10A11KTC产品详细信息

N 通道 MOSFET，100V 至 950V，Diodes Inc

ZXMN10A11KTC产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.39mm  
  典型关断延迟时间  7.4 ns  
  典型接通延迟时间  2.7 ns  
  典型输入电容值@Vds  274 pF @ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  5.4 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-252  
  高度  2.39mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  4  
  最大功率耗散  3.9 W  
  最大连续漏极电流  3.5 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  450 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  DiodesZetex 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  DiodesZetex 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm   典型关断延迟时间 7.4 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 7.4 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 7.4 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 7.4 ns   典型接通延迟时间 2.7 ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 2.7 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 2.7 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 2.7 ns   典型输入电容值@Vds 274 pF @ 50 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 274 pF @ 50 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 274 pF @ 50 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 274 pF @ 50 V   典型栅极电荷@Vgs 5.4 nC @ 10 V  DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 5.4 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5.4 nC @ 10 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5.4 nC @ 10 V   封装类型 TO-252  DiodesZetex 封装类型 TO-252  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252   高度 2.39mm  DiodesZetex 高度 2.39mm  MOSFET 晶体管 高度 2.39mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 2.39mm   晶体管配置 单  DiodesZetex 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  DiodesZetex 宽度 6.22mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm   类别 功率 MOSFET  DiodesZetex 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  DiodesZetex MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  DiodesZetex 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  DiodesZetex 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 4  DiodesZetex 引脚数目 4  MOSFET 晶体管 引脚数目 4  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 4   最大功率耗散 3.9 W  DiodesZetex 最大功率耗散 3.9 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 3.9 W  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 3.9 W   最大连续漏极电流 3.5 A  DiodesZetex 最大连续漏极电流 3.5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.5 A  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.5 A   最大漏源电压 100 V  DiodesZetex 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 450 mΩ  DiodesZetex 最大漏源电阻值 450 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 450 mΩ  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 450 mΩ   最大栅阈值电压 4V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
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MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

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MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

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MOSFET N-Chan 100V MOSFET (UMOS)

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Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: ZXMN10A11KTC)

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Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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ZXMN10A11K Series N-Channel 100 V 0.35 Ohm Power MOSFET Surface Mount- TO-252-3

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ZXMN10A11K Series N-Channel 100 V 0.35 Ohm Power MOSFET Surface Mount- TO-252-3

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2.4A I(D), 100V, 0.35OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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Diodes Inc - ZXMN10A11KTC - MOSFET N-Channel 100V 3.5A DPAK|70438811 | ChuangWei Electronics		Diodes Inc
MOSFET N-Channel 100V 3.5A DPAK

型号：ZXMN10A11KTC
仓库库存编号：70438811

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ZXMN10A11KTC|Diodes IncZXMN10A11KTC
Diodes Inc		MOSFET N-CH 100V DPAK
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DiodesZetex - ZXMN10A11KTC - DiodesZetex N沟道 MOSFET ZXMN10A11KTC, 3.5 A, Vds=100 V, 4引脚 TO-252封装
制造商零件编号：
ZXMN10A11KTC
品牌：
DiodesZetex
库存编号：
708-2602
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ZXMN10A11KTC|Diodes IncZXMN10A11KTC
Diodes Inc		MOSFET N-CH 100V DPAK
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Diodes Incorporated - ZXMN10A11KTC - MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK		Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Ta） 2.11W（Ta） TO-252-3

型号：ZXMN10A11KTC
仓库库存编号：ZXMN10A11KTCCT-ND
别名：ZXMN10A11KTCCT <br>

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ZXMN10A11KTC|Diodes/ZetexZXMN10A11KTC
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ZXMN10A11KTC产品技术参数资料

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