IRFI4212H-117P,700-3220,Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4212H-117P, 11 A, Vds=100 V, 5引脚 TO-220封装 ,Infineon
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4212H-117P, 11 A, Vds=100 V, 5引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
IRFI4212H-117P
库存编号：
700-3220
Infineon IRFI4212H-117P
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRFI4212H-117P产品详细信息

数字音频 MOSFET，Infineon

D 类放大器正快速成为专业和家庭音频和视频系统的首选解决方案。 Infineon 提供全面的系列，可简化高效 D 级放大器设计。

IRFI4212H-117P产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 4.83 x 9.02mm  
  典型关断延迟时间  9.5 ns  
  典型接通延迟时间  4.7 ns  
  典型输入电容值@Vds  490 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  12 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  9.02mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  串行  
  宽度  4.83mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  5  
  最大功率耗散  18000 mW  
  最大连续漏极电流  11 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  73 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
关键词         

IRFI4212H-117P配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

IRFI4212H-117P相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.67mm  Infineon 长度 10.67mm  MOSFET 晶体管 长度 10.67mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 4.83 x 9.02mm  Infineon 尺寸 10.67 x 4.83 x 9.02mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 9.02mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 9.02mm   典型关断延迟时间 9.5 ns  Infineon 典型关断延迟时间 9.5 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 9.5 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 9.5 ns   典型接通延迟时间 4.7 ns  Infineon 典型接通延迟时间 4.7 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.7 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.7 ns   典型输入电容值@Vds 490 pF@ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 490 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 490 pF@ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 490 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V   封装类型 TO-220  Infineon 封装类型 TO-220  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220   高度 9.02mm  Infineon 高度 9.02mm  MOSFET 晶体管 高度 9.02mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 9.02mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 串行  Infineon 晶体管配置 串行  MOSFET 晶体管 晶体管配置 串行  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 串行   宽度 4.83mm  Infineon 宽度 4.83mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 2  Infineon 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 5  Infineon 引脚数目 5  MOSFET 晶体管 引脚数目 5  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 5   最大功率耗散 18000 mW  Infineon 最大功率耗散 18000 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 18000 mW  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 18000 mW   最大连续漏极电流 11 A  Infineon 最大连续漏极电流 11 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11 A   最大漏源电压 100 V  Infineon 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 73 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 73 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 73 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 73 mΩ   最大栅阈值电压 5V  Infineon 最大栅阈值电压 5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 3V  Infineon 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRFI4212H-117P产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号