NTR1P02T1G,688-9143,ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTR1P02T1G, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装 ,ON Semiconductor
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTR1P02T1G, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号:
NTR1P02T1G
库存编号:
688-9143
ON Semiconductor NTR1P02T1G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

NTR1P02T1G产品详细信息

P 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor

NTR1P02T1G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.9mm  
  尺寸  2.9 x 1.3 x 0.94mm  
  典型关断延迟时间  9 ns  
  典型接通延迟时间  7 ns  
  典型输入电容值@Vds  165 pF@ 5 V  
  典型栅极电荷@Vgs  2.5 nC @ 5 V  
  封装类型  SOT-23  
  高度  0.94mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.3mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  400 mW  
  最大连续漏极电流  1 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  180 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.3V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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NTR1P02T1G产品技术参数资料

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