IRLU8259PBF,688-7291,Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLU8259PBF, 57 A, Vds=25 V, 3引脚 IPAK封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLU8259PBF, 57 A, Vds=25 V, 3引脚 IPAK封装

制造商零件编号：
IRLU8259PBF
库存编号：
688-7291
Infineon IRLU8259PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRLU8259PBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET，12V 至 25V，Infineon

Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRLU8259PBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 2.39 x 6.22mm  
  典型关断延迟时间  9.1 ns  
  典型接通延迟时间  8.4 ns  
  典型输入电容值@Vds  900 pF @ 13 V  
  典型栅极电荷@Vgs  6.8 nC @ 4.5 V  
  封装类型  IPAK  
  高度  6.22mm  
  宽度  2.39mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  48 W  
  最大连续漏极电流  57 A  
  最大漏源电压  25 V  
  最大漏源电阻值  9 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.35V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1.35V  
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IRLU8259PBF配套附件

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRLU8259PBF产品技术参数资料

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