IRFS4610PBF,688-7109,Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFS4610PBF, 73 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装 ,Infineon
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFS4610PBF, 73 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号：
IRFS4610PBF
库存编号：
688-7109
Infineon IRFS4610PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IRFS4610PBF
库存编号:IRFS4610PBF-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK0
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IRFS4610PBF International Rectifier TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,73A I(D),TO-263AB101
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IRFS4610PBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon

Infineon 系列分立 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRFS4610PBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 9.65 x 4.83mm  
  典型关断延迟时间  53 ns  
  典型接通延迟时间  18 ns  
  典型输入电容值@Vds  3550 pF @ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  90 nC @ 10 V  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.83mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.65mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  190 W  
  最大连续漏极电流  73 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  14 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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IRFS4610PBF配套附件

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IRFS4610PBF相关搜索

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.67mm  Infineon 长度 10.67mm  MOSFET 晶体管 长度 10.67mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  Infineon 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm   典型关断延迟时间 53 ns  Infineon 典型关断延迟时间 53 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 53 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 53 ns   典型接通延迟时间 18 ns  Infineon 典型接通延迟时间 18 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 18 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 18 ns   典型输入电容值@Vds 3550 pF @ 50 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 3550 pF @ 50 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3550 pF @ 50 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3550 pF @ 50 V   典型栅极电荷@Vgs 90 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 90 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 90 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 90 nC @ 10 V   封装类型 D2PAK  Infineon 封装类型 D2PAK  MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK   高度 4.83mm  Infineon 高度 4.83mm  MOSFET 晶体管 高度 4.83mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 4.83mm   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 9.65mm  Infineon 宽度 9.65mm  MOSFET 晶体管 宽度 9.65mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 9.65mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 190 W  Infineon 最大功率耗散 190 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 190 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 190 W   最大连续漏极电流 73 A  Infineon 最大连续漏极电流 73 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 73 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 73 A   最大漏源电压 100 V  Infineon 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 14 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 14 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 14 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 14 mΩ   最大栅阈值电压 4V  Infineon 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  Infineon 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
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型号 制造商 描述 操作
IRFS4610PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 90nC

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRFS4610PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

IRFS4610PBF N-channel MOSFET Transistor, 73 A, 100 V, 3-Pin D2PAK

RoHS: Compliant

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IRFS4610PBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET N-ch HEXFET 100V 73A

RoHS: Not Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRFS4610PBF
[更多]		 International Rectifier

MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB

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IRFS4610PBF|International RectifierIRFS4610PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
Rohs

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IR - IRFS4610PBF - MOSFET N, 100 V 73 A 190 W D2PAK, IRFS4610PBF, IR		IR
MOSFET N, 100 V 73 A 190 W D2PAK, IRFS4610PBF, IR

型号：IRFS4610PBF
仓库库存编号：171-00-787

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无图IRFS 4610PBF
International Rectifier		原厂原装货
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IRFS4610PBF|International RectifierIRFS4610PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IRFS4610PBF|International RectifierIRFS4610PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
Rohs

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRFS4610PBF - Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFS4610PBF, 73 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号：
IRFS4610PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
688-7109
搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRFS4610PBF产品技术参数资料

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