IRFP4229PBF,688-6998,Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFP4229PBF, 44 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247AC封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFP4229PBF, 44 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247AC封装

制造商零件编号：
IRFP4229PBF
库存编号：
688-6998
Infineon IRFP4229PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRFP4229PBF产品详细信息

电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET，Infineon

电动机控制 MOSFET

Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。

同步整流器 MOSFET

同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。

IRFP4229PBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.9mm  
  尺寸  15.9 x 5.3 x 20.3mm  
  典型输入电容值@Vds  4560 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  72 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247AC  
  高度  20.3mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.3mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  310 W  
  最大连续漏极电流  44 A  
  最大漏源电压  250 V  
  最大漏源电阻值  46 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 15.9mm  Infineon 长度 15.9mm  MOSFET 晶体管 长度 15.9mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 15.9mm   尺寸 15.9 x 5.3 x 20.3mm  Infineon 尺寸 15.9 x 5.3 x 20.3mm  MOSFET 晶体管 尺寸 15.9 x 5.3 x 20.3mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 15.9 x 5.3 x 20.3mm   典型输入电容值@Vds 4560 pF@ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 4560 pF@ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4560 pF@ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4560 pF@ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 72 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 72 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 72 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 72 nC @ 10 V   封装类型 TO-247AC  Infineon 封装类型 TO-247AC  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247AC  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247AC   高度 20.3mm  Infineon 高度 20.3mm  MOSFET 晶体管 高度 20.3mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 20.3mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.3mm  Infineon 宽度 5.3mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.3mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 5.3mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 310 W  Infineon 最大功率耗散 310 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 310 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 310 W   最大连续漏极电流 44 A  Infineon 最大连续漏极电流 44 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 44 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 44 A   最大漏源电压 250 V  Infineon 最大漏源电压 250 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 250 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 250 V   最大漏源电阻值 46 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 46 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 46 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 46 mΩ   最大栅阈值电压 5V  Infineon 最大栅阈值电压 5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V   最大栅源电压 ±30 V  Infineon 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -40 °C  Infineon 最低工作温度 -40 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 3V  Infineon 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  
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MOSFET, N, 250V, TO-247AC

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MOSFET Operating temperature: -40...+175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 150 W

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IRFP4229PBF
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 250V, 44A, 310W, TO247AC, HEXFET?

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IR - IRFP4229PBF - MOSFET, 250 V 31 A 150 W TO-247, IRFP4229PBF, IR		IR
MOSFET, 250 V 31 A 150 W TO-247, IRFP4229PBF, IR

型号：IRFP4229PBF
仓库库存编号：171-37-821

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Infineon Technologies - IRFP4229PBF - MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC

型号：IRFP4229PBF
仓库库存编号：IRFP4229PBF-ND
别名：SP001578046 <br>

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Infineon - IRFP4229PBF - Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFP4229PBF, 44 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247AC封装
制造商零件编号：
IRFP4229PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
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International Rectifier		MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC
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IRFP4229PBF|International RectifierIRFP4229PBF
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IRFP4229PBF
INFINEON IRFP4229PBF		1436964

INFINEON

晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 44 A, 300 V, 38 mohm, 10 V, 5 V

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IRFP4229PBF产品技术参数资料

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