IRFB5620PBF,688-6973,Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB5620PBF, 25 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB5620PBF, 25 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
IRFB5620PBF
库存编号：
688-6973
Infineon IRFB5620PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRFB5620PBF产品详细信息

数字音频 MOSFET，Infineon

D 类放大器正快速成为专业和家庭音频和视频系统的首选解决方案。 Infineon 提供全面的系列，可简化高效 D 级放大器设计。

IRFB5620PBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 4.83 x 9.02mm  
  典型关断延迟时间  17.1 ns  
  典型接通延迟时间  8.6 ns  
  典型输入电容值@Vds  1710 pF@ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  25 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  9.02mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.83mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  14 W  
  最大连续漏极电流  25 A  
  最大漏源电压  200 V  
  最大漏源电阻值  73 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IRFB5620PBF产品技术参数资料

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